专利名称：硅晶片及硅晶片的热处理方法专利类型：发明专利
发明人：蒂莫·米勒,维尔弗里德·冯·阿蒙,埃里希·道布,彼得·克
罗滕塔勒尔,克劳斯·梅斯曼,弗里德里希·帕塞克,赖因霍尔德·沃利希,阿诺尔德·屈霍恩,约翰内斯·施图德纳
申请号：CN200610067653.7申请日：20060324公开号：CN1840749A公开日：20061004
摘要：本发明涉及硅晶片，其不具有外延沉积层且不具有通过与硅晶片粘合而形成的层，其氮浓度为1×10原子/立方厘米至8×10原子/立方厘米，氧浓度为5.2×10原子/立方厘米至7.5×10原子/立方厘米，该硅晶片厚度中心内的BMD密度为3×10/立方厘米至2×10/立方厘米，所有线性滑移累积的总长度不超过3厘米，且所有平面扩展的滑移区域累积的总面积不超过7平方厘米，其中该硅晶片的正面在DNN通道内具有少于45个尺寸大于0.13微米LSE的氮诱发缺陷，在厚度至少为5微米的层内每立方厘米产生不超过1×10个尺寸至少为0.09微米的COP，且不含BMD的层的厚度至少为5微米。
申请人：硅电子股份公司
地址：德国慕尼黑
国籍：DE
代理机构：永新专利商标代理有限公司
代理人：过晓东
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