专利名称：氧化硅层的选择性移除专利类型：发明专利
发明人：马库斯·慕勒,亚历山大·蒙多,帕斯卡·贝松申请号：CN200680038911.7申请日：20061017公开号：CN101305458A公开日：20081112
摘要：本发明涉及一种制备器件的方法，包括在所述器件的第一区域内形成第一氧化硅层，在所述器件的第二区域内形成第二氧化硅层，将第一类型的掺杂离子注入到所述第一区域中，将第二类型的掺杂离子注入到所述第二区域中，以及蚀刻所述第一和第二区域一预定的持续时间以便移除所述的第一氧化硅层并保留所述第二氧化硅层的至少一部分。
申请人：ST微电子(克偌林斯2)SAS公司,意法半导体有限公司,恩智浦半导体
地址：法国克偌林斯
国籍：FR
代理机构：北京汇泽知识产权代理有限公司
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