专利名称：高速光电探测器制备方法专利类型：发明专利
发明人：余沛,王权兵,徐之韬,王丹,徐帅,张倩,王任凡申请号：CN202011020411.9申请日：20200925公开号：CN112133790A公开日：20201225
摘要：本发明公开了一种高速光电探测器制备方法，包括以下步骤：制备台面型光电探测器的P‑I‑N高台；在P‑I‑N高台上涂覆两层光刻胶，保障了后续光刻胶作为腐蚀掩蔽层的可靠性，降低了器件的暗电流，增加了光刻显影的工艺窗口，可以很好地控制显影的钻蚀，保证了光敏面的大小，降低耦合难度，而得到高性能的高速InGaAs/InP PIN光电探测器。
申请人：武汉敏芯半导体股份有限公司
地址：430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区金融港四路18号普天物联网创新研发基地(一期)1栋3层02室03号
国籍：CN
代理机构：湖北武汉永嘉专利代理有限公司
代理人：许美红
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