专利名称：TFT阵列基板的制作方法及TFT阵列基板专利类型：发明专利发明人：覃事建
申请号：CN201110280163.6申请日：20110920公开号：CN102299104A公开日：20111228
摘要：本发明公开了一种TFT阵列基板的制作方法及TFT阵列基板，该制作方法包括以下步骤：依次沉积金属薄膜、绝缘层和半导体层，用构图方法制作栅线和栅极；沉积绝缘层，用构图方法制作沟道区域保护层；依次沉积掺杂半导体层、金属层，用构图方法形成源极、漏极和数据线，并切断掺杂半导体层及金属层形成通电沟道；沉积ITO层，用构图方法使ITO层形成像素电极。本发明由于采用4次构图技术，通过一次构图完成栅极、栅线及有源层的制作，并且像素电极、数据线、源极、漏极及沟道等都是通过完全显影的光刻或干刻直接形成，降低了阵列基板的制作难度和生产成本，提高了生产效率。其形成的TFT器件为背沟道保护型，有利于减小器件关态电流。
申请人：深圳市华星光电技术有限公司
地址：518000 广东省深圳市光明新区光明大道9-2号
国籍：CN
代理机构：深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙)
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