专利名称：超低压低功耗永久性OTP存储器专利类型：发明专利发明人：彭泽忠,毛军华申请号：CN201910881739.0申请日：20190918公开号：CN110827909A公开日：20200221
摘要：超低压低功耗永久性OTP存储器，涉及存储器技术。本发明包括一个选择MOS管、一个检测MOS管和电容，选择MOS管的第一工作端和检测MOS管的控制端连接于参考点，选择MOS管的第二工作端和检测MOS管的第二工作端皆与第一位线连接，检测MOS管的第一工作端连接第二位线，作为反熔丝存储核心的电容设置于参考点和第一字线之间，其特征在于，所述电容为本征MOS管的栅电容。本发明的有益效果是，无需电压提升电路即可实现低至0.6V的读取电压，显著的降低了功耗。
申请人：四川凯路威科技有限公司
地址：621000 四川省绵阳市高新区绵兴东路133号A412
国籍：CN
代理机构：成都惠迪专利事务所(普通合伙)
代理人：刘勋
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