・４０・ 材料导报：综述篇 ２０１０年４月（上）第２４卷第４期 旋转涂覆法制备硅基多孑Ｌ低ｋ薄膜材料的研究进展 殷桂琴 ，袁强华。 （１四川理工学院理学院，自贡６４３０００；２西北师范大学物电学院，兰州７３００７０） 摘要 详细介绍了目前采用旋转涂覆（Ｓｐｉｎ－ｏｎ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法制备硅基多孔低ｋ薄膜材料（ＭｓＱ及ＨＳＱ）的方 法及技术，其次介绍了用ＦＴＩＲ对低介电ＭＳＱ及ＨＳＱ薄膜的结构的分析，最后指出了等离子体处理对薄膜表面改 性研究的主要进展以及存在的问题和今后的研究方向。 关键词 低ｋ多孔材料ＳＯＤ沉积技术等离子体处理 Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｐｒｏｇｒｅｓｓ ｉｎ Ｓｉｌｉｃｏｎ－ｂａｓｅｄ Ｐｏｒｏｕｓ Ｌｏｗ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｃｏｎｓｔａｎｔ Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍｓ Ｐｒｅｐａｒｅｄ ｂｙ Ｓｐｉｎ－ｏｎ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ‘ ＹＩＮ Ｇｕｉｑｉｎ ，ＹＵＡＮ Ｑｉａｎｇｈｕａ （１ Ｃｏｌｌｅｇｅ ｏｆ Ｓｃｉｅｎｃｅ，Ｓｉｃｈｕａｎ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｓｃｉｅｎｃｅ ８Ｌ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｚｉｇｏｎｇ ６４３０００； ２ Ｄｅｐａｒｔｍｅｎｔ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｎｏｒｔｈｗｅｓｔ Ｎｏｒｍａｌ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｌａｎｚｈｏｕ ７３００７０） Ａｂｓｔｒａｃｔ Ｉｎ ｔｈｉｓ ｐａｐｅｒ，ｔｈｅ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｐｒｏｇｒｓｓ ｉｎ ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ ｏｆ ＭＳＱ ａｎｄ ＨＳＱ ｓｉｌｉｃｏｎ－ｂａｓｅｄ ｌｏｗ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｃｏｎｓｔａｎｔ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｂｙ ＳＯＤ ｉｓ ｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄ ｉｎ ｄｅｔａｉｌ．Ｔｈｅ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ ｏｆ ｔｈｅｓｅ ｆｉｌｍｓ ａｒｅ ｉｄｅｎｔｉｆｉｅｄ ｂｙ ＦＴＩＲ．Ｔｈｅ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｐｒｏｇｒｅｓｓ ｉｎ ｔｈｅ ｓｕｒｆａｃｅ ｍｏｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｂｙ ｐｌａｓｍａ ｔｒｅａｔｍｅｎｔ ａｎｄ ｒｅｓｅａｒｃｈ ｉｎｔｅｒｅｓｔｓ ａｒｅ ｐｏｉｎｔｅｄ ｏｕｔ． ．Ｋｅｙ ｗｏｒｄｓ ｌｏｗ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｃｏｎｓｔａｎｔ，ｓｐｉｎ－ｏｎ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，ｐｌａｓｍａ ｔｒｅａｔｍｅｎｔ Ｏ 引言 自２０世纪９Ｏ年代以来，超大规模集成电路（ＵＬＳＩ）的 特征尺寸按照摩尔定律在不断缩小，如表１所示。由于器件 密度和连线密度增加、线宽减小，将导致阻容（ＲＣ）耦合增 大，从而使信号传输延时、干扰噪声增强和功率耗散增大口］。 表１ ２００５年国际半导体发展规划 Ｔａｂｌｅ １ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｒｏａｄｍａｐ ｆｏｒ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ｉｎ ２００５ 方面的性质：在电性能方面，要有低损耗和低漏电流；在力学 性能方面，要有高附着力和高硬度；在化学性能方面，要耐腐 蚀且吸水性低；在热性能方面，要有高稳定性和低收缩性。 由于普遍采用的介质ＳｉＯ。（愚＝３．９～４．２）已经不能够满足 ＵＳＬＩ发展的需求，所以多年来人们一直都在努力寻找各种 合适的低介电常数材料。２００５年国际半导体规划（ＩＴＲＳ）指 出虽然在１９９８年Ｃｕ互连线已经引进芯片，但是作为低介电 常数的介质材料仍未解决。Ｆ掺杂的Ｓｉ０ （是＝３．７）用于 １８０ｎｍ时，可靠性和双镶嵌集成给这些材料的应用带来了阻 碍，而ｋ＝２．７～３．０的介质材料到９０ｎｍ后就不能广泛应用， 所以多孔低是材料就成为未来发展的目标。多孔低愚材料 的制备方法有２种：等离子体化学气相沉积法（ＣＶＤ）和旋转 涂敷法（Ｓｐｉｎ－ｏｎ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，ＳＯＤ）。 旋转涂敷（Ｓ０Ｄ）法制备的纳米多孔薄膜具有化学计量 比易控制、结构可控、折射率可调、孔隙率高、介电常数小、稳 定性好、热导率低、激光损伤阈值高、工艺温度低、成膜面积 大、设备简单等优点，而且耐压高，与硅有好的粘附性和好的 间隙填充能力，与半导体集成电路芯片工艺的相容性较好。 本文主要介绍了用旋转涂敷（Ｓ０Ｄ）法制备倍半硅氧烷基多 孔低ｋ薄膜材料的工艺及技术、等离子体处理、存在的问题 及研发方向。 未来的超大规模集成电路制造技术必须采用低介电常 数材料（即低ｋ材料）取代二氧化硅作为层间介质来降低寄 生电容 。’。 。因此低ｋ材料在今后的超大规模集成电路制造 方面将占有举足轻重的地位。这些低ｋ材料需具备以下几 １ 薄膜沉积的旋转涂敷技术 用旋转涂敷工艺（ＳＯＤ）得到的多孔介质分为本构多孔 ＊四川理工学院人才引进项目（ＺＲ２００９）；西北师大科研启动项目（５００２—５８６） 殷桂琴：女，１９７４年生，博士Ｅ－ｍａｉｌ：ｙｉｎｇｕｉｑ＠１２６．ｃｏｍ 旋转涂覆法制备硅基多孔低ｋ薄膜材料的研究进展／殷桂琴等 ・ ４１ ・ 介质和致生多孔介质。沉积本构多孔介质的关键在于甩胶 后的工艺变化。甩胶后，溶胶的粘滞系数急剧增大，转变为 湿凝胶。湿凝胶是一种包含了液体和固体组分的刚性物质， 固体部分由扩展到整个薄膜的交联聚合物的三维网络形成， 液体部分则为充满了包围固体部分的自由空间。在随后的 热处理过程中，溶胶被去除，形成孔隙。溶胶一凝胶工艺还可 产生致生多孔介质，这种多孔介质的形成与工艺过程中的老 化工艺和自组装（即溶胶中原始粒子的分层构造）过程有关。 宏观分子致孔剂的致生多孔介质是指在工艺中添加具有特 定热稳定性的分子、超分子粒子的介质前驱物，它们在热处 理时是稳定的，在烧结工艺中通过热分解而去除（典型温度 为３００￣４００℃），在薄膜中留下微孔或介孔。在理想情况下， 孔隙率是与致孔粒子的含量直接相关的，孔尺寸则取决于孔 粒子的大小。在实际应用时，致孔粒子、孔隙率及孔尺寸需 保持一定的关系。Ｖ．Ｊｏｕｓｓｅａｕｍｅ等 通过各种表征手段研 究了孔体积比例与介电常数的关系，随着孔体积比例的增 加，介电常数下降。首先，为了避免相分离，致孔粒子与网络 （基质）材料应是化学兼容的；其次，为了避免孔的合并，致孔 粒子在整个薄膜空间应是均匀分布的。因此，在前驱溶液中 引入致孔粒子的途径有２种：致孔粒子与聚合物网络化学交 联，溶液中分散致孔粒子。第一种方法的优点在于当孔形成 时，膜是高度交联的，因此多孔结构基本不受进一步致密化 的影响，同时还可以得到封闭的介孔。第二种致孔粒子与溶 液不反应，只是加热后分解留下微孔。 旋转涂敷处理工艺过程中还有２个重要的过程，即老化 工艺和自组装工艺。 老化工艺：在湿凝胶干燥前增加一步老化过程，目的在 于加速溶胶一凝胶反应，使得网络结构增强，在溶液去除后网 络骨架不发生塌陷。这种工艺中，孔隙率通过调整溶胶中溶 液与固体成分间的比例来控制，但是孔隙率与孔尺寸是关联 的，不能分别独立控制，孔隙率的提高会导致孔尺寸的增大。 自组装工艺：在溶胶一凝胶工艺中合成自组装的微孔材料 是重要的研究内容之一，主要包括添加沸石等具有很好特定 结构的微孔晶体、通过超分子组装或选择性蒸发溶液使聚集 物分层排列。因此，薄膜的孔隙率和孔结构与原始粒子的组 装、排列方式有关。 旋转涂敷（Ｓ０Ｄ）技术特别适合于沉积平面度好、需充填 孔隙的介质薄膜。这种方法获得的薄膜厚度取决于基底的 转速和溶胶的粘滞系数。一般去除溶胶的热处理温度为 ２５０￣Ｃ，形成稳定薄膜的热处理温度为３５０￣６００℃。 旋转涂敷技术的工艺流程可以总结如图１所示。 广—————］ｌ溶胶．凝胶 ◆Ｉ广————］旋转涂敷 ＿．４老化 ｌ广——＿］广—］干燥 厂——————————————］ 薄膜结构性能的表征ｌ Ｉ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．＿＿Ｊ Ｉ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．＿＿Ｊ １．．．．．．．．．＿＿Ｊ Ｉ．．．．．．． Ｉ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． ．． ．．． ．．．．＿＿Ｊ 图１旋转涂敷技术工艺流程图 Ｆｉｇ．１ Ｔｈｅ ｆｌｏｗ ｃｈａｒｔ ｏｆ ｓｐｉｎ－ｏｎ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ 旋转涂敷技术的主要原理为：溶胶充分润湿硅片；溶胶 与基板之间的粘附力和旋转的离心力逐渐趋于平衡；溶胶层 厚度开始恒定；甩胶转速为２０００￣３０００ｒ／ｍｉｎ制得厚度均匀 的薄膜；在异丙醇气氛保护中甩胶可降低溶剂的蒸发速率。 ２倍半硅氧烷基多孔低ｋ薄膜材料的制备 聚甲基（ＭＳＱ）或氢基（ＨＳＱ）倍半硅氧烷多孔低ｋ材料 的经验公式分别是（ＣＨ。Ｓｉ０３／ ） 、（ＨＳｉＯ３，ｌ２） ，它们的结构分 别如图２和图３（其中Ｒ代表ＣＨ。基）所示。ＨＳＱ由氢、氧、 硅原子交替组成，这种网络结构有利于降低分子密度。可以 看出，ＭＳＱ的笼形结构与ＨＳＱ一样也有利于降低分子密 度。由介电理论可知，减少分子或原子的极化率是有限的， 因此减小极化分子密度与分子数目是降低介电常数的另一 途径。由此可看出，这种笼式结构有利于降低材料的密度， 从而降低薄膜的介电常数。 图２ ＨＳＱ的网络结构示意图 Ｆｉｇ．２ Ｔｈｅ ｎｅｔｗｏｒｋ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｏｆ ＨＳＱ Ｒ． ｊ Ｏ Ｈ （；Ｒ、 、０ ／ ＼ｏ， ～～ ｖ／／。 Ｒ ＼ ０／ Ｒ 图３倍半硅氧烷结构 Ｆｉｇ．３ Ｔｈｅ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｏｆ ｍｅｔｈｙｌｓｉｉｓｅｓｑｕｉｏｘａｎｅ 倍半硅氧烷基多孔低ｋ材料的制备方法有以下几种。 ２．１ 甲基三氯硅烷水解／聚合制备法 最常用的是以甲基三氯硅烷（ＣＨ。ＳｉＣ１。）为主要原料、乙 二胺为梯形控制剂合成聚甲基倍半硅氧烷＿５］。邱军等 ６］以 有机伯胺为胺解剂，与甲基三氯硅烷反应形成梯形结构的 “模板”，经水解、缩聚反应，合成了梯形聚甲基倍半硅氧烷。 将甲基三氯硅烷与正丁胺反应，制成甲基三氯硅烷的胺 解产物 后，将其作为梯形聚合物的模板，再经水解和缩聚 反应，可制成梯形ＰＭＳＱ。 ２．２ 甲基三烷氧基硅烷制备法 使用ＣＨ。ＳｉＸ。制备，这里Ｘ一般是ＯＣＨ。（ＭＴＭＳ）Ｌ 或 ＯＣ。Ｈ （ＭＴＥＳ）。这种制备方法容易操作，反应条件也较容 易控制。加拿大的Ｈａｎｊｉａｎｇ Ｄｏｎｇ等用ＭＴＭＳ加少量的去 离子水再加乙醇作为溶剂，用盐酸或氢氧化钠作催化剂，分 一步或两步制备了ＭＳＱ，制备的ＭＳＱ性能与ｐＨ值有 关［８－１０］。 ・４２・ 材料导报：综述篇 ２０１０年４月（上）第２４卷第４期 ２．３ 甲基三乙酸基硅烷制备法 Ｙａｎｇ等Ｅ“ 报道用四烷基季铵盐作催化剂，对Ｔ８（八笼 形的聚倍半硅氧烷）及其它种类的硅氧烷合成方法进行了研 究。他们选用氟化四丁基铵作催化剂，通过三乙氧基硅烷的 水解与聚合制备出笼型结构的倍半硅氧烷及其同系物，反应 时间短，产率达到９Ｏ 。 表２列举了倍半硅氧烷ＭＳＱ的红外吸收特征峰。在 １０３３ｃｍ 处是Ｓｉ—Ｏ－Ｓｉ网络结构，在ｌｌｌ４ｃｍ 处是Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ笼 式结构，这２种结构均有利于降低分子密度。 表２ ＭＳＱ的红外吸收特征峰 “ Ｔａｂｌｅ ２ Ｔｈｅ ａｂｓｏｒｂａｎｃｅ ｐｅａｋ ｏｆ ＭＳＱ：“］ 波数／ｅｍ ３４００～３５ＯＯ ２９６９ ２．４其他制备方法 贝尔实验室的Ｓｈｕ Ｙａｎｇ采用Ｐｏｌｙ（ｅｔｈｙｌｅｎｅ ｏＸｉｄｅ－６－ 峰位 硅基，Ｓｉ—ＯＨ基伸展峰 ｐｒｏｐｙｌｅｎｅ ｏｘｉｄｅ－ｂ—ｅｔｈｙｌｅｎｅ ｏｘｉｄｅ）（ＰＥＯ－ｂ－ＰＰＯ－ｂ－ＰＥＯ）作为 分子模板制备了纳米孔的ＭＳＱ＿１ 。 ３ ＭＳＱ和ＨＳＱ薄膜的结构性能 傅立叶变换红外光谱分析（ＦＴＩＲ）是测量低ｋ薄膜化学 键结构的主要手段，它的原理是基于红外吸收对薄膜中的分 子旋转、弯曲、伸展比较敏感。在ＦＴＩＲ谱中，ＨＳＱ薄膜的 Ｓｉ—Ｏ－Ｓｉ笼式结构的吸收峰在１１５０ｃｍ 处，网状结构的吸收 峰在１０７０ｃｍ 处。ＨＳＱ薄膜的密度是ｌ＿６ｇ／ｃｍ。。在硅基 材料中，ＦＦＩＲ可以检测到掺杂的Ｓｉ—Ｃ、Ｓｉ—ＣＨ。、Ｓｉ－Ｈ、Ｓｉ—Ｆ 的吸收峰。主要的Ｓｉ一０键的吸收峰在１０４０ｃｍ 处一直有一 个肩峰，有研究已经证明Ｓｉ—ＣＨ键比Ｓｉ—Ｈ键更强，所以 ＭＳＱ比ＨＳＱ有更高的热稳定性，但是在氧气氛围下它们的 热稳定性都比较低。这２种材料疏水性都比较好，与水的接 触角接近９Ｏ。。湿吸附有物理吸附、弱键吸附等，前一种吸附 在２００℃以下就可释放，后一种在高于４００。Ｃ才可分解。在 退火、氧化以及等离子体处理过程中，Ｓｉ－Ｈ键或者Ｓｉ－ＣＨ键 可能会被Ｓｉ—ＯＨ代替，这对薄膜的介电性能有不利的影响， 将导致其吸水性增加。 图４是最初的ＨＳＱ和经过Ｈ 等离子处理３０ｓ和１２０ｓ （Ｔ一２３０℃，Ｐ一１３３．３２Ｐａ）后ＨＳＱ的ＦＴＩＲ图。图４表明经 过处理后疏水基团Ｓｉ—Ｈ（２２５０ｃｍ叫）减少，而在３２００～ ３７００ｃｍ＿１处由于湿吸附产生了峰口 。图５为不同有机含量 的ＨＳＱ和ＭＳＱ的ＦＴＩＲ图，由图５可以看出笼式结构 （１１５０ｃｍ＿１）和网状结构（１０７０ｃｍ ）的Ｓｉ— Ｓｉ键吸收峰的强 度随着具体材料而变化。ＨＳＱ介质材料的Ｓｉ－Ｈ键的吸收 峰在２２５０ｃｍ 处。而ＭＳＱ材料的Ｃ＿Ｈ和Ｓｉ－ＣＨ。分别出现 在２９７５ｃｍ 和１２７５ｃｍ 处，最显著的是ＭＳＱ与ＨＳＱ均具有 Ｓｉ－＆Ｓｉ伸展键的吸收峰，小角 ｓｉ键与大角ＳＩ＿（）＿Ｓｉ键吸 收峰的强度随具体材料不同而不同。而在大于１５００ｃｍ－。处， Ｓｉ＿Ｈ健的吸收峰均出现在ＨＳＱ和有机含量较少的ＭＳＱ中。 图４ ＨＳＱ的红外吸收光谱 Ｆｉｇ ４ ＹｒｌＲ ｓｐｅｃｔｒａ ｏｆ ＨＳＱ－ｂａｓｅ ｔｈｉｎ ｉｆｌｍｓ ＣＨ。反对称伸展峰 ２８７６ ＣＨ。对称伸展峰 ２９３７ ＣＨ 反对称伸展峰 ２８４３ ＣＨ：对称伸展峰 １４６７ ＣＨ。反对称变形弯曲峰 １４０９ ＣＨ。反对称伸展峰 １２７１ Ｓｉ－ＣＨ。对称伸展峰 １１１４（１１２３） ８Ｌ１０３３（１０３０） Ｓｉ一（）＿Ｓｉ基反对称伸展峰（ＲＳｉ０ 。） ８８５ Ｏ－Ｓｉ—ＣＨ。（Ｓｉ—Ｃ伸展峰，尾端基团） ７７９ （）ＩＳｉ—ＣＨ。（Ｓｉ—ＣＨ。摆动振动峰， 边Ｓｉ—Ｃ伸展峰） 图５不同有机含量的ＨＳＱ和ＭＳＱ的ＦｒｌＲ光谱图 Ｆｊ舀５ ＦＩｌＲ ｓｐｅｃｔｒａ ｏｆ ａ ＨＳＱ ａｎｄ ｔｗｏ ＭＳＱ ｉｆｌｓｍ ｗｉｔｈ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ｏｒｇａｎｉｃ ｃｏｎｔｅｎｔ 可利用金属／绝缘层／半导体所组成的电容结构来测量 薄膜的介电常数。ＭＳＱ本身的介电常数为２．６～２．８。Ｊｉｎ－ Ｈｅｏｎｇ Ｙｉｍ等以糖作为ＭＳＱ的宏观分子致孔剂，通过ＭＳＱ 与蔗糖分子的相互作用，自组装形成孔，经过退火分解得到 忌＜２．５的薄膜，孔径为２．２ｎｍｌ＿】 。Ｓｕｚｈｕ Ｙｕ等以聚氨基作 为ＨＳＱ的致孔剂获得是一２．Ｏ６的材料ｌ１ 。德国微电子实验 室的Ｎ．Ａｈｎｅｒ等［】 ］在低温退火情况下获得了电子结构性 能比较稳定的ＭＳＱ介电薄膜。研究表明［４］，ＭＳＱ多孔材料 孔的尺寸对材料的弹性性能影响很弱，而影响力学性能的主 要因素是孔在材料内所占的比例和ＭＳＱ材料内自身结构的 交联程度。Ｎ．Ａｈｎｅｒ等［１ ］研究了在低温条件下可以得到 ＭＳＱ的光电结构的特性。 ４ 多子Ｌ低ｋ薄膜的等离子体处理 适当的等离子体处理不仅可以清洗硅片表面，并在硅片 表面产生许多悬挂键而提高其化学活性，而且可以使制备的 低ｋ薄膜表面的开口孔闭合，降低吸水性，防止铜散射和外 界的污染。但是，研究已经表明氧离子处理对ＭＳＱ与ＨＳＱ 旋转涂覆法制备硅基多孔低ｋ薄膜材料的研究进展／殷桂琴等 的孔有副作用，由于Ｓｉ—ＣＨ。和Ｓｉ—Ｈ是疏水性基团，经过氧 离子处理后，这些基团被去除，导致吸水性增强，同时介电常 ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｃｉｒｃｕｉｔ［Ｊ］．Ｒｅｓ Ｄｅｖ，１９９９，４３：１ ・ ４３ ・ ｌｉａｍ Ｌ Ｗ，Ｈｏ Ｐａｕｌ Ｓ Ｌｏｗ－ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｃｏｎｓｔａｎｔ ｍａｔｅｒｉａｌｓ ３ Ｗｉ数增加＿】 。用三甲基氯硅烷和氢离子处理，由于被破坏 的一ＣＨ。在ＨＳＱ中形成了Ｍｅ。Ｓｉ—Ｏ－Ｓｉ，从而修复了疏水基 团，同时增加了Ｓｉ—Ｈ含量，可以修补ＨＳＱ被氧离子处理后 ｆｏｒ ＵＬＳＩ ｉｎｔｅｒ１ａｙｅｒ＿ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ［Ｊ］．ＭＲＳ Ｂｕｌｌ， １９９７，２２（１Ｏ）：１９ ｌａｎｄ Ｇ，Ｂａｂｏｎｎｅａｕ Ｄ，ｅｔ ａ１．Ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ ｏｆ ４ Ｊｏｕｓｓｅａｕｍｅ Ｖ，Ｒｏｌｐｏｌｙｍｅｒ ｐｏｒｏｇｅｎｓ ｏｎ ｔｈｅ ｐｏｒｏｓｉｔｙ ａｎｄ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ 所带来的漏电流、介电常数、吸水性增加等不利因素［２０，２１］。 Ａｌｋａ Ａ．Ｋｕｍｂｈａｒ等让氢通过热金属丝，对ＨＳＱ进行 ｏｆ ｓｐｉｎ ｃｏａｔｅｄ ｕｌｔｒａ ｌｏｗ走ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｓ［Ｊ］．Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ， ２００９，５１７：４４１３ 氢化处理，消除了部分一ＯＨ基团，降低了它的吸水性＝２ 。他 们发现经过氢离子体处理后阻止了铜离子的扩散，减少了漏 电流，增加了材料的电阻。Ｓｈｕｎｓｕｋｅ Ｔａｎａｋａ等 ３］以非离子 黄朝，陈跃平，胡萍，等．聚甲基倍半硅氧烷的合成［Ｊ］．有 机硅材料，２００３，１７（２）：８ 表面活性剂Ｂｒｉｊ ３０为模板，Ｈ ＳＯ 、ＨＮＯ。、ＨＣＩ为催化剂， 然后把所制备的薄膜曝光在正硅酸乙酯（ＴＥＯＳ）或三甲基乙 氧基硅烷（ＴＭＥＳ）所放的封闭仓中，利用蒸汽氛围的渗透处 理，使所得薄膜的力学性能、热稳定性、附着性均有很大的改 善，并且对分别用Ｈ Ｓ０４、ＨＮＯ。、ＨＣ１为催化剂所制备的薄 膜进行了比较。Ｗｉｌｆｒｉｅｄ Ｐｕｙｒｅｎｉｅｒ等＿２ ］通过建立气体渗透 模型确定被闭合孔的势垒厚度，发现ＮＨ。等离子体后处理 能最有效地增加上层的粘稠度，从而有效地改善孔的闭合情 况。Ｅｌ本的Ｈｉｄｅｍｉｔｓｕ Ａｏｋｉ＿２副在射频为ｌＯＷ的条件下，用 ＴＭＡＢ气体制备了介电常数为１．８的ＢＮ薄膜。 ５结语 由于Ｓ０Ｄ工艺能够精确地控制多孔材料孔的均匀性， 在进行后处理时能准确地把握温度的影响以及被氧化的程 度，所以很多公司仍然采用这种工艺。但ＳＯＤ工艺中带来 的材料力学性能降低影响了它的进一步应用。对于较差的 力学性能，目前已开展了用高温高压的超临界ＣＯ 法产生致 密的孔隙来改善薄膜的力学性能。但无论是用ＳＯＤ制备的 有机聚合物，还是用ＣＶＤ等离子体制备的纳米孔（ 一２．６～ ２．７），由于这些材料与铜都有过大的热膨胀系数失配，在芯 片封装过程遇到了分层问题，所以用于ＩＣ的低ｋ材料在合 成和封装方面还有许多亟待解决的问题。总之，材料的力学 性能较差，化学污染吸附和对工艺条件（刻蚀、光刻胶剥离、 清洗、化学机械抛光、金属沉积等）的敏感性，以及Ｃｕ互连的 可靠性及其金属化问题，薄膜的力学强度低，与金属材料附 着性可能差，对ＣＭＰ工艺的合理整合等都是我们今后需要 解决的问题。 尽管芯片尺寸遵循摩尔定律的发展，但不能无限制地减 小下去，随着纳米电子器件的相继出现，量子化特征会越来 越明显，而且在硅集成电路中所引入的新材料和新概念的更 替速率也是前所未有的，最终我们的目标是要寻找新材料来 代替目前的多孔材料。 参考文献 １ Ｗｏｌｆｇａｎｇ Ｍ Ａ Ｔｈｅ ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｒｏａｄｍａｐ ｆｏｒ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｓｐｅｒｓｐｅｃｔｉｖｅｓ ａｎｄ ｃｈａｌｌｅｎｇｅｓ ｆｏｒ ｔｈｅ ｎｅｘｔ １５ ｙｅａｒｓ［Ｊ］．Ｃｕｒｒ Ｏｐｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｍａｔｅｒ Ｓｅｉ，２００２，６：３７１ ２ Ｃｏｔｅ Ｄ Ｒ，Ｎｇｕｙｅｎ Ｓ Ｖ，Ｓｔａｍｐｅｒ Ａ Ｋ，ｅｔ ａ１．Ｐｌａｓｍａｓｓｉｓｔｅｄ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒｅ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｏｆ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｆｏｒ ＵＬＳＩ 。 邱军，黄裕杰，胡友慧．耐高温梯形聚甲基倍半硅氧烷的合 成研究［Ｊ］．功能高分子学报，１９９９，１２（２）：１７３ Ｄｏｎｇ Ｈａｎｊｉａｎｇ，Ｌｅｅ Ｈ，Ｔｈｏｍａｓ Ｍ Ｈ．Ｍｅｔｈｙｌｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙ－ ｓｉｌａｎｅ ｓｏｌ—ｇｅｌ ｐｏｌｍｙｅｒｉｚａｔｉｏｎ ｉｎ ａｃｉｄｉｃ ｅｔｈａｎｏｌ ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ ＳｔＵ－ ｄｉｅｄ ｂｙ Ｓｉ ＮＭＲ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ［Ｊ］．Ｊ Ｓｏｌ—Ｇｅｌ Ｓｃｉ Ｔｅｃｈｎ， ２００３，２８：５ Ｄｏｎｇ Ｈａｎｊｉａｎｇ，Ｂｒｏｏｋ Ｍｉｃｈａｅｌ Ａ，Ｂｒｅｎｎａｎ Ｊｏｈｎ Ｄ．Ａ ｎｅｗ ｒｏｕｔｅ ｔｏ ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ ｍｅｔｈｙｌｓｉｌｓｅｓｑｕｉｏｘａｎｅｓ：Ｇｅｌａｔｉｏｎ ｂｅｈａｖｉｏｒ ｏｆ ｍｅｔｈｙｈｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ ａｎｄ ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ ｏｆ ｒｅｓｕｌｔｉｎｇ ｍｅｔｈｙｌｓｉｌｓｅｓｑｕｉｏｘａｎｅｓ ｕｎｄｅｒ ｏｎｅ－ｓｔｅｐ ａｎｄ ｔｗｏ－ｓｔｅｐ ｐｒｏｃｅｓ— ｓｉｎｇ［Ｊ］．Ｃｈｅｍ Ｍａｔｅｒ，２００５，１７：２８０７ ９ Ｄｏｎｇ Ｈａｎｊｉａｎｇ，Ｒｅｉｄｙ Ｒｉｃｈａｒｄ Ｆ，Ｂｒｅｎｎａｎ Ｊｏｈｎ Ｄ．Ｓｈｒｉｎ－ ｋａｇｅ ａｎｄ ｓｐｒｉｎｇｂａｃｋ ｂｅｈａｖｉｏｒ ｏｆ ｍｅｔｈｙｌｓｉｌｓｅｓｑｕｉｏｘａｎｅｓ ｐｒｅ— ｐａｒｅｄ ｂｙ ａｎ ａｃｉｄ／ｂａｓｅ ｔｗｏ－ｓｔｅｐ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｐｒｏｃｅｄｕｒｅ［Ｊ］． Ｃｈｅｍ Ｍａｔｅｒ，２００５，１７：６０１２ １０ Ｄｏｎｇ Ｈａｎｊｉａｎｇ，Ｂｒｅｎｎａｎ Ｊｏｈｎ Ｄ．Ｃｏｎｔｒｏｌｌｉｎｇ ｔｈｅ ｍｏｒｐｈｏｌｏ— ｇｙ ｏｆ ｍｅｔｈｙｌｓｉｌｓｅｓｑｕｉｏｘａｎｅ ｍｏｎｏｌｉｔｈｓ ｕｓｉｎｇ ａ ｔｗｏ－ｓｔｅｐ ｐｒｏ— ｃｅｓｓｉｎｇ ｍｅｔｈｏｄ［Ｊ］．Ｃｈｅｍ Ｍａｔｅｒ，２００６，１８：５４１ ｌ１ Ｙａｎｇ Ｙ，Ｔａｙｌｏｒ Ｐ，Ｂａｓｓｉｎｄａｌｅ Ａ，ｅｔ ａ１．Ｔｈｅ ａｂｓｔｒａｃｔ ｏｆⅧ ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ ｏｒｇａｎｏｓｉｌｉｃｏｎ ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ［Ｒ］． Ｇｕａｎａｊａｔｏ Ｍｅｘｉｃｏ，２００２：１７１ １ ２ Ｓｈｕ Ｙａｎｇ，Ｍｉｒａｕ Ｐｅｔｅｒ Ａ，ｅｔ ａ１．Ｎａｎｏｐｏｒｏｕｓ ｕｌｔｒａｌｏｗ ｄｉｅ— ｌｅｃｔｒｉｃ ｃｏｎｓｔａｎｔ ｏｒｇａｎｏｓｉｌｉｃａｔｅｓ ｔｅｍｐｌａｔｅｄ ｂｙ ｔｒｉｂｌｏｃｋ ｃｏｐｏｌｙ— ｍｅｒｓ口］．Ｃｈｅｍ Ｍａｔｅｒ，２００２，１４：３６９ １ ３ Ｍａｅｘ Ｋ．Ｌｏｗ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｃｏｎｓｔａｎｔ ｍａｔｅｒｉａｌｓ ｆｏｒ ｍｉｃｒｏｅｌｅｃ— ｔｒｏｎｉｃｓ［Ｊ］．Ｊ Ａｐｐｌ Ｐｈｙｓ，２００３，９３：８７９３ １４ Ｗａｎｇ Ｃ Ｙ，Ｓｈｅｎ Ｚ Ｘ，Ｚｈｅｎｇ Ｊ ｚ Ｔｈｅｒｍａｌ ｃｕｒｅ ｓｔｕｄｙ ｏｆ ａ ｌｏｗ－ｋ ｍｅｔｈｙｌ ｓｉｌｓｅｓｑｕｉｏｘａｎｅ ｆｏｒ ｉｎｔｅｒｍｅｔａｌ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ａｐｐｌｉｃａ— ｔｉｏｎ ｂｙ ＦＴ ＩＲ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ口］．Ａｐｐｌ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ，２０００，５４ （２）：２０９ １５ Ｙｉｍ Ｊｉｎ－Ｈｅｏｎｇ，Ｊｅｏｎｇ Ｈｙｕｎ－Ｄａｍ，ｅｔ ａ１．Ｔｈｅ ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ ｏｆ ｎａｎｏｐｏｒｏｕｓ ｓｉｌｏｘａｎｅ ｆｉｌｍｓ ｕｓｉｎｇ ｓａｃｃｈａｒｉｄｅ ｄｅｒｉｖａｔｉｖｅｓ ａｓ ｎｅｗ ｐｏｒｏｇｅｎ［Ｊ］．Ｔｈｉｎ ｏＳｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ，２００５，４７６：４６ １ ６ Ｓｕｚｈｕ Ｙｕａ，Ｔｅｒｅｎｃｅ Ｋ Ｓ Ｗｏｎｇａ，Ｘｉａｏ Ｈｕｂ，ｅｔ ａ１．Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ ａｎｄ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ ｐｏｒｏｕｓ ｓｉｌｓｅｓｑｕｉｏｘａｎｅ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｆｉｌｍｓ ［Ｊ］．Ｔｈｉｎ ｏＳｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ，２００５，４７３：１９１ １７ Ａｈｎｅｒ Ｎ，Ｓｃｈｕｌｚ Ｓ Ｅ，Ｂ１ａｓｃｈｔａ Ｆ，ｅｔ ａ１．Ｏｐｔｉｃａｌ，ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ ａｎｄ ｓｔｒｕｅｔｕｒａｌ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ｓｐｉｎ－ｏｎ ＭＳＱ ｌｏｗ－ｋ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｓ 口］．Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｅｎｇ，２００８，８５：２１ｌ１ （下转第５１页） 玻璃光学碱度与三阶非线性光学极化率／齐济等 ｄｏｐｅｄ ｏｘｉｄｅ ｇｌａｓｓｅｓ ａｎｄ ｃｏｒｒｅｌａｔｉｏｎｓ ｗｉｔｈ ｏｐｔｉｃａｌ ｂａｓｉｃｉｔｙ ２１ Ｔｅｒａｓｈｉｍａ Ｋ，Ｈａｓｈｉｍｏｔｏ Ｔ，Ｙｏｋｏ Ｔ．Ｎｏｎｌｉｎｅａｒ ｏｐｔｉｃａｌ ＥＪ］．Ｍａｔｅｒ Ｒｅｓ Ｂｕｌｌ，２００７，４２：１１９５ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ Ｂ２ ０３ Ｂａｓｅｄ ｇｌａｓｓｅｓ：Ｂｉｎａｒｙ Ａ Ｂ２ Ｏ３ ａｎｄ ｌ１ Ｃｈｉ Ｇ，Ｚｈｏｕ Ｄ，Ｓｏｎｇ Ｚ，ｅｔ ａ１．Ｅｆｆｅｃｔ ｏｆ ｏｐｔｉｃａｌ ｂａｓｉｃｉｔｙ ｏｎ ｔｅｒｎａｒｙ ＡｇＸ—Ａｇ２０～Ｂ２Ｏｓ（Ｘ—Ｃ１，Ｂｒ ａｎｄ Ｉ）ｇｌａｓｓｅｓ［Ｊ］． ｂｒｏａｄｂａｎｄ ｉｎｆｒａｒｅｄ ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ ｉｎ ｂｉｓｍｕｔｈ－ｄｏｐｅｄ ａｌｋａｌｉ ｍｅ－ Ｐｈｙｓ Ｃｈｅｍ Ｇｌａｓｓｅｓ，１９９６，３７（４）：１２９ ｔａｌ ｇｅｒｍａｎａｔｅ ｇｌａｓｓｅｓ［Ｊ］．Ｏｐｔ Ｍａｔｅｒ，２００９，３１：９４５ ２２ Ｔｅｒａｓｈｉｍａ Ｋ，Ｕｃｈｉｎｏ Ｔ，Ｈａｓｈｉｍｏｔｏ Ｔ，ｅｔ ａ１．Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ａｎｄ １２ Ｃｈｅｎ Ｇ Ｒ，Ｂａｃｃａｒｏ Ｓ，Ｎｉｋｌ Ｍ，ｅｔ ａ１．Ｔｈｅ ｒｅｄ—ｓｈｉｆｔ ｏｆ ｕｌｔｒａ— ｎｏｎｌｉｎｅａｒ ｏｐｔｉｃａｌ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ Ｂａ Ｔ｜（）２ Ｏ３ ｇｌａｓｓｅｓ［Ｊ］．Ｊ ｖｉｏｌｅｔ ｓｐｅｃｔｒａ ａｎｄ ｔｈｅ ｒｅｌａｔｉｏｎ ｔｏ ｏｐｔｉｃａｌ ｂａｓｉｃｉｔｙ ｏｆ Ｃｅ－ｄｏｐｅｄ Ｃｅｒａｍ Ｓｏｃ Ｊｐｎ，１９９７，１０５（４）：２８８ ａｌｋａｌｉ ｒａｒ－ｅｅａｒｔｈ ｐｈｏｓｐｈａｔｅ ｇｌａｓｓｅｓ［Ｊ］．Ｊ Ａｍ Ｃｅｒａｍ Ｓｏｃ， ２３ ＩＮ．ｍｉｔｒｏｖ Ｖ，Ｋｉｍ Ｓ Ｈ，Ｙｏｋｏ Ｔ，ｅｔ ａ１．Ｔｈｉｍ ｈａｒｍｏｎｉｃ ｇｅ－ ２００４，８７（７）：１３７８ ｎｅｒａｔｉｏｎ ｉｎ ＰｂＯ－ＳｉＯ２ ａｎｄ ＰｂＯ－Ｂ２ Ｏ３ ｇｌａｓｓｅｓ Ｉ－ｊ］．Ｊ Ｃｅｒａｍ １３ Ｄｕｆｆｙ Ｊ八Ａ ｃｏｍｍｏｎ ｏｐｔｉｃａｌ ｂａｓｉｃｉｔｙ ｓｃａｌｅ ｆｏｒ ｏｘｉｄｅ ａｎｄ ＯＳｃ Ｊｐｎ，１９９３，１０１（１）：５９ ｆｌｕｏｒｉｄｅ ｇｌａｓｓｅｓ［Ｊ］．Ｊ Ｎｏｎ－Ｃｒｙｓｔ ｏＳｌｉｄｓ，１９８９，１０９（１）：３５ ２４ Ｈａｚａｒｉｋａ Ｓ，Ｒａｉ Ｓ．Ｓｔｒｕｃｔｕｒａ１，ｏｐｔｉｃａｌ ａｎｄ ｎｏｎ－ｌｉｎｅａｒ ｉｎｖｅｓ— １４魏锡文，李宁，张琳．ＮａｚＯ－Ｐｚ０５玻璃的结构和光学碱度 ｔｉｇａｔｉｏｎ ｏｆ Ｅｕ”：Ａｌ（ＮＯａ）ａ－Ｓｉ０２ ｓｏｌ—ｇｅｌ ｇｌａｓｓ［Ｊ］．Ｂｕｌｌ ［Ｊ３．化学研究与应用，１９９３，５（２）：６８ Ｍａｔｅｒ Ｓｃｉ，２００４，２７（３）：２７３ １５张琳，魏锡文．含钛玻璃光学碱度的测量Ｉ－Ｊ］．理化检验一化 ２５ Ｎａｓｕ Ｈ，Ｍａｔｓｕｏｋａ Ｊ，Ｋａｍｉｙａ Ｋ．Ｓｅｃｏｎｄ—ａｎｄ ｔｈｉｒｄ—ｏｒｄｅｒ 学分册，２０００，３６（１）：３１ ｏｐｔｉｃａｌ ｎｏｎ－ｌｉｎｅａｒｉｔｙ ｏｆ ｈｏｍｏｇｅｎｅｏｕｓ ｇｌａｓｓｅｓ［Ｊ］．Ｊ Ｎｏｎ－ １６张木，王铁林，常勇，等．二元玻璃光学碱度和氧离子电极 Ｃｒｙｓｔ Ｓｏｌｉｄｓ，１９９４，１７８：２３ 化率的研究ＶＪ］．沈阳化工学院学报，２００８，２２（１）：２２ ２６ Ｄｉｍｉｔｒｏｖ Ｖ，Ｋｏｍａｔｓｕ Ｔ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｐｏｌａｒｉｚａｂｉｌｉｔｙ，ｏｐｔｉｃａｌ １ ７ Ｎａｓｕ Ｈ．Ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎａｌ ｄｅｓｉｇｎ ｏｆ ｇｌａｓｓｅｓ ｗｉｔｈ ｌａｒｇｅ ｓｅｃｏｎｄ－ ｂａｓｉｃｉｔｙ ａｎｄ ｎｏｎ－ｌｉｎｅａｒ ｏｐｔｉｃａｌ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ｏｘｉｄｅ ｇｌａｓｓｅｓ ａｎｄ ｔｈｉｒｄ—ｏｒｄｅｒ ｏｐｔｉｃａｌ ｎｏｎｌｉｎｅａｒｉｔｙ ＥＪ］．Ｊ Ｃｅｒａｍ Ｓｏｃ Ｊｐｎ， ［Ｊ］．Ｊ Ｎｏｎ－Ｃｒｙｓｔ Ｓｏｌｉｄｓ，１９９９，２４９：１６０ ２００２，１１０（９）：７８９ ２７ Ｑｉ Ｊ，Ｘｕｅ Ｄ，Ｒａｔａｊｃｚａｋ Ｈ，ｅｔ ａ１．Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｐｏｌａｒｉｚａｂｉｌｉｔｙ ｏｆ １８ Ｔｅｒａｓｈｉｍａ Ｋ，Ｈａｓｈｉｍｏｔｏ Ｔ，Ｕｃｈｉｎｏ Ｔ，ｅｔ ａ１．Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ａｎｄ ｔｈｅ ｏｘｉｄｅ ｉｏｎ ａｎｄ ｄｅｎｓｉｔｙ ｏｆ ｂｉｎａｒｙ ｓｉｌｉｃａｔｅ，ｂｏｒａｔｅ ａｎｄ ｐｈｏｓ— ｎｏｎｌｉｎｅａｒ ｏｐｔｉｃａｌ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ Ｓｂ２ Ｏ３一Ｂｅ Ｏｚ ｂｉｎａｒｙ ｇｌａｓｓｅｓ ｐｈａｔｅ ｏｘｉｄｅ ｇｌａｓｓｅｓ［Ｊ］．Ｐｈｙｓｊｃａ Ｂ，２００４，３４９：２６５ Ｉ－Ｊ］．Ｊ ＣｅｒａｍＳＯｃ Ｊｐｎ，１９９６，１０４（１】）：１００８ ２８ Ｑｉ Ｊ，Ｘｕｅ Ｄ，Ｎｉｎｇ Ｇ．Ｒｅｌａｔｉｏｎｓｈｉｐ ｂｅｔｗｅｅｎ ｔｈｅ ｔｈｉｒｄ ｏｒｄｅｒ １９ Ｔｅｒａｓｈｉｍａｋ，Ｓｈｉｍｏｔｏ Ｔ Ｈ，Ｙｏｋｏ Ｔ．Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ａｎｄ ｎｏｎｌｉ— ｎｏｎｌｉｎｅａｒ ｏｐｔｉｃａｌ ｓｕｓｃｅｐｔｉｂｉｌｉｔｙ ａｎｄ ｔｈｅ ｄｅｎｓｉｔｙ ｏｆ ｔｈｅ ｂｉｎａｒｙ ｎｅａｒ ｏｐｔｉｃａｌ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ＰｂＯ－Ｂｉ２ Ｏ３一ｅＢ Ｏ３ ｇｌａｓｓｅｓ［Ｊ］．Ｐｈｙｓ ｂｏｒａｔｅ ｇｌａｓｓｅｓ［Ｊ］．Ｐｈｙｓ Ｃｈｅｍ Ｇｌａｓｓｅｓ，２００４，４５（６）：３６１ Ｃｈｅｍ Ｇｌａｓｓｅｓ，１９９７，３８（４）：２１１ ２９ Ｑｉ Ｊ，Ｎｉｎｇ Ｇ，Ｓｕｎ Ｔ．Ｒｅｌａｔｉｏｎｓｈｉｐｓ ｂｅｔｗｅｅｎ ｍｏｌａｒ ｐｏｌａｒｉ— ２０ Ｔｅｒａｓｈｉｍａ Ｋ，Ｋｉｍ Ｓ Ｈ，Ｙｏｋｏ Ｔ．Ｎｏｎｌｉｎｅａｒ ｏｐｔｉｃａｌ ｐｒｏｐｅｒ— ｓａｂｉｌｉｔｙ，ｍｏｌａｒ ｖｏｌｕｍｅ ａｎｄ ｄｅｎｓｉｔｙ ｏｆ ｂｉｎａｒｙ ｓｉｌｉｃａｔｅ，ｂｏｒａｔｅ ｔｉｅｓ ｏｆ Ｂ２Ｏ３一ｂａｓｅｄ ｇｌａｓｓｅｓ：ＭｚＯ－ＢｅＯ３（Ｍ—Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ， ａｎｄ ｐｈｏｓｐｈａｔｅ ｇｌａｓｓｅｓ［Ｊ］．Ｐｈｙｓ Ｃｈｅｍ Ｇｌａｓｓｅｓ，２００７，４８ Ｃｓ，ａｎｄ Ａｇ）ｂｉｎａｒｙ ｂｏｒａｔｅ ｇｌａｓｓｅｓ［Ｊ］．Ｊ Ａｍ Ｃｅｒａｍ ＳＯｃ， （６）：３５４ １９９５，７８（６）：１６０１ （责任编辑曾文婷） ＼ ＼ 、 ＼ ＼ ＼ ＼ ） ＼ ； （上接第４３页） ｈａｎｃｅｍｅｎｔ ｏｆ ｍｏｉｓｔｕｒｅ ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ ｏｆ ｓｐｉｎ－ｏｎ ｌｏｗ－ｋ ＨＳＱ １８ Ｋｏｎｄｏｈ Ｅ，Ａｓａｎｏ Ｔ，Ａｒａｏ Ｈ，ｅｔ ａ１．Ｄｅｈｙｄｒａｔｉｏｎ ａｆｔｅｒ ｆｉｌｍｓ ｂｙ ｈｏｔ ｗｉｒｅ ｇｅｎｅｒａｔｅｄ ａｔｏｍｉｃ ｈｙｄｒｏｇｅｎ ｔｒｅａｔｍｅｎｔ［，Ｊ］． ｐｌａｓｍａ ｏｘｉｄａｔｉｏｎ ｏｆ ｐｏｒｏｕｓ ｌｏｗ－ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ－ｃｏｎｓｔａｎｔ ｓｐｉｎ－ｏｎ－ Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ，２００６，５０１：３２９ ｇｌａｓｓ ｆｉｌｍｓ［，Ｊ］．Ｊｐｎ Ｊ Ａｐｐｌ Ｐｈｙｓ，Ｐａｒｔ １，２０００，３９：３９１９ ２３ Ｓｈｕｎｓｕｋｅ Ｔａｎａｋａ，Ｈｉｒｏｍｉ Ｔａｄａ，Ｔａｋａｎｏｒｉ Ｍａｒｕｏ，ｅｔ ａ１． １９ Ｋｏｎｄｏｈ Ｅ，Ａｓａｎｏ Ｔ，Ｎａｋａｓｈｉｍａ Ａ，ｅｔ ａ１．Ｅｆｆｅｃｔ ｏｆ ｏｘｙｇｅｎ Ｖａｐｏｒ ｉｎｆｉｌｔｒａｔｉｏｎ ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓ ｆｏｒ ｓｐｉｎ－ｏｎ ｍｅｓｏｐｏｒｏｕｓ ｓｉｌｉｃａ ｐｌａｓｍａ ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｏｆ ｐｏｒｏｕｓ ｓｐｉｎ－ｏｎ－ｇｌａｓｓ ｆｉｌｍｓ［，Ｊ］．Ｊ Ｖａｃ Ｓｃｉ ｆｉｌｍｓ Ｉ＿Ｊ］．Ｔｈｉｎ ｏＳｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ，２００６，４９５：１８６ Ｔｅｃｈｎ Ｂ，２０００，１８（３）：１２７６ ２４ Ｗｉｌｆｒｉｅｄ Ｐｕｙｒｅｎｉｅｒ，Ｖｉｎｃｅｎｔ Ｒｏｕｅｓｓａｃｂ，Ｌｕｃｉｌｅ Ｂｒｏｕｓｓｏｕｓ． ２０ Ｓｉｎｇｈ Ｓ Ｋ，Ｋｕｍｂｈａｒ Ａ Ａ，Ｄｕｓａｎｅ Ｒ ０．Ｒｅｐａｉｒｉｎｇ ｐｌａｓｍａ－ Ｅｆｆｅｃｔ ｏｆ ｐｌａｓｍａ ｔｒｅａｔｍｅｎｔｓ ｏｎ ａ ｐｏｒｏｕｓ ｌｏｗ－ｋ ｍａｔｅｒｉａｌ—— ｄａｍａｇｅｄ ｌｏｗ－ｋ ＨＳＱ ｆｉｌｍｓ ｗｉｔｈ ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｃｈｌｏｒｏｓｉｌａｎｅ ｔｒｅａｔ— Ｓｔｕｄｙ ｏｆ ｐｏｒｅ ｓｅａｌｉｎｇ［＇Ｊ］．Ｍｉｃｒｏｐ Ｍｅｓｏｐ Ｍａｔｅｒ，２００７，１０６： ｍｅｎｔ［－Ｊ］．Ｍａｔｅｒ Ｓｃｉ Ｅｎｇ Ｂ，２００６，１２７：２９ ４０ ２１ Ｓｕｎｉｌ Ｋｕｍａｒ Ｓｉｎｇｈ，Ｋｕｍｂｈａｒ Ａ Ａ，Ｄｕｓａｎｅ Ｒ Ｏ．Ｒｅｓｉｓｔｉｎｇ ２５ Ｈｉｄｅｍｉｔｓｕ Ａｏｋｉ，Ｓｈｉｎｊｉ Ｔｏｋｕｙａｍａ，Ｔａｋｕｒｏ Ｍａｓｕｚｕｍｉ，ｅｔ ｏｘｙｇｅｎ ｐｌａｓｍａ ｄａｍａｇｅ ｉｎ ｌｏｗ－Ｋ ｈｙｄｒｏｇｅｎ ｓｉｌｓｅｓｑｕｉｏｘａｎｅ ａ１．Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ ｏｆ ｍｅｔｈｙｌ ｂｏｒｏｎ ｎｉｔｒｉｄｅ ｆｉｌｍ ａｓ ｌｏｗ－Ｋ ｉｎｓｕｌａ— ｆｉｌｍｓ ｂｙ ｈｙｄｒｏｇｅｎ ｐｌａｓｍａ ｔｒｅａｔｍｅｎｔ，［Ｊ］．Ｍａｔｅｒ Ｌｅｔｔ，２００６， ｔｉｎｇ ｆｉｌｍ ｆｏｒ ＬＳＩ ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎｒＪ］．Ｄｉａｍｏｎｄ Ｒｅｌａｔｅｄ Ｍａ— ６０：１５７９ ｔｅｒ，２００９，１８：１０４８ ２２ Ａｌｋａ Ａ Ｋｕｍｂｈａｒ，Ｓｕｎｉｌ Ｋｕｍａｒ Ｓｉｎｇｈ，Ｄｕｓａｎｅ Ｒ Ｏ．Ｅｎ— （责任编辑曾文婷）