W25Q64BV
出版日期：2010年7月8日
- 1 - 版本E
64M位
与串行闪存
双路和四路SPI
W25Q64BV
- 2 -
目录
1，一般
DESCRIPTION...............................................................................................................5
2。
FEATURES.......................................................................................................................................5
3引脚配置SOIC208-MIL.......................................... .................................................. 6
1
4，焊垫配置WSON8X6-MM.......................................... ..............................................6
5，焊垫配置PDIP300-MIL.......................................... .................................................7
6引脚说明SOIC208密耳，PDIP300密耳和WSON8X6-MM................................ 7......
7引脚配置SOIC300mil的.......................................... .................................................. 8
8引脚SOIC封装说明
300-MIL..................................................................................................8
8.1包装 Types.....................................................................................................................9
8.2片选 (/CS)..................................................................................................................9
8.3串行数据输入，输出和IO（DI，DO和IO0，IO1，IO2，IO3）............................. 9.......
8.4写保护 (/WP)...............................................................................................................9
8.5控股 (/HOLD).....................................................................................................................9
8.6串行时钟 (CLK)................................................................................................................9
9
DIAGRAM..........................................................................................................................10
座
2
10功能 DESCRIPTION.......................................................................................................11
10.1
OPERATIONS.............................................................................................................11
SPI
10.1.1标准SPI
Instructions...................................................................................................11
10.1.2双SPI
Instructions..........................................................................................................11
10.1.3四路SPI
Instructions.........................................................................................................11
10.1.4保持功能 .....................................................................................................................11
10.2写保护 .......................................................................................................12
10.2.1写保护 Features........................................................................................................12
11，控制和状态寄存器............................................ ............................................13
11.1状态 REGISTER..........................................................................................................13
11.1.1
BUSY..................................................................................................................................13
3
11.1.2写使能锁存 (WEL)..................................................................................................13
11.1.3块保护位（BP2，BP1，BP0）..................................... ...............................................13
11.1.4顶/底块保护（TB）....................................... .................................................. ..13
11.1.5部门/块保护 (SEC)................................................................................................13
11.1.6状态寄存器保护（SRP，SRP0）....................................... ........................................14
11.1.7四路启用 (QE)..............................................................................................................14
11.1.8状态寄存器内存保护........................................... .........................................16
11.2
INSTRUCTIONS.................................................................................................................17
11.2.1制造商和设备标识........................................... ...................................17
11.2.2指令集表 1........................................................................................................18
W25Q64BV
11.2.3指令表2（阅读说明书）....................................... .................................19
出版日期：2010年7月8日
4
- 3 - 修订版E
11.2.4写使能 (06h)..............................................................................................................20
11.2.5写禁止 (04h).............................................................................................................20
11.2.6读状态寄存器1（05H）和读状态寄存器2（35H）.............................. .........21
11.2.7写状态寄存器（01H）......................................... .................................................. .....22
11.2.8读取数据
(03h).................................................................................................................23
11.2.9快速阅读
(0Bh).................................................................................................................24
11.2.10快速读双输出（3BH）........................................ .................................................. 0.25
11.2.11快速读四路输出（6BH）........................................ .................................................. 26
11.2.12快速读双I / O (BBh).................................................................................................27
11.2.13快速读取四I/ O
(EBh)...............................................................................................29
11.2.14
八进制字
5
读取四I/ O
（E3H）..................................... ................................................31
11.2.15页编程 (02h).........................................................................................................33
11.2.16四路输入页编程（32H）........................................ ..............................................34
11.2.17扇区擦（20H） ...........................................................................................................35 11.2.1832KB的块擦（52H） ...................................................................................................36
11.2.1964KB的块擦(D8h)...................................................................................................37
20年2月11日芯片擦除60h).....................................................................................................38
21年2月11日擦除(75h)........................................................................................................39
22年2月11日擦除(7Ah)........................................................................................................40
23年11月2日(B9h)............................................................................................................41
6
除
除
除
（C7H/
挂起
恢复
掉电
24年2月11日高性能模（A3H）......................................... ................................................42
25年2月11日发布掉电或高性能模式/设备ID（ABH）...............................42
26年2月11日读制造商/设备（90H）....................................... ........................................44
27年2月11日阅读唯一的ID（4BH）........................................ .................................................45
28年2月11日读JEDEC的(9Fh)......................................................................................................46
29年2月11日连续读取模式复位（FFHFFFFH）...................................... ..........................47
12，电气特性.............................................. ................................................48
12.1绝对最大 Ratings................................................................................................48 12.2操作范围 ..............................................................................................................48 12.3上电时序和写抑制阈值......................................... ...........................49
12.4
直
流电
7
式
ID
号
ID
或
气
Characteristics..............................................................................................50
12.5 AC测量条件.............................................. ...............................................51
12.6 AC电气 Characteristics..............................................................................................52
12.7 AC电气特性（续）......................................... ........................................53
12.8串行输出 Timing...........................................................................................................54
12.9输入
Timing........................................................................................................................54
12.10持有
Timing.......................................................................................................................54
13包装
SPECIFICATION..........................................................................................................55
W25Q64BV
13.18引脚SOIC208密耳（包装代号SS）..................................... ......................................55
- 4 -
13.28
引脚PDIP300
8
密耳（封装代码
DA）..................................... .......................................56
13.38触点WSON8x6毫米（封装代码ZE）....................................... ...........................57
13.416引脚SOIC300密耳（封装代码SF）..................................... .....................................58
14订INFORMATION..........................................................................................................59
14.1有效的部件号和顶端标记.......................................... ..............................60
15版HISTORY......................................................................................................................61
W25Q64BV
出版日期：2010年7月8日
- 5 - 修订版E
1概述
该W25Q64BV（64M位）串行Flash存储器提供了有限的系统存储解决方案 空间，引脚和电源。该25Q系列提供了灵活性和性能远远超过普通的串行
9
货
本
闪存器件。他们是理想的阴影到RAM中的代码，直接从双路/四路SPI执行代码
（XIP）和存储的语音，文本和数据。该器件在2.7V至3.6V单电源工作
电流消耗低至4毫安主动和1μA的关机。所有器件均提供节省空间
保存包。
该W25Q64BV阵列是由每256字节可编程32,768页。最多256个字节
可以在一个时间被编程。网页可以在16（扇区擦除）组，128组（32KB被删除
块擦除），256（64KB块擦除组）或整个芯片（芯片擦除）。该W25Q64BV有2,048
可擦除扇区和128可擦除块分别。小4KB扇区允许更大的灵活性
在需要的数据和参数的存储的应用程序。 （见图2）
该W25Q64BV支持标准串行外设接口（SPI）和一个高性能
双核/四输出以及双/四I/ O SPI：串行时钟，片选，串行数据I / O0（DI），I / O1
（DO）的I / O 2（/ WP）和I/ O 3（/ HOLD）。高达80MHz的SPI时钟频率被支持，允许
160MHz的等效时钟频率为使用快速时双输出和320MHz的为四路输出
10
读双核/四输出指令。这些传输率可以超越标准的异步8
16位并行Flash存储器。连续读取模式允许与高效的内存访问
尽可能少的8个时钟的指令开销读取24位地址，允许真正的XIP（执行到位）
操作。
一抱脚，写保护引脚和可编程写保护，与顶部或底部阵列控制，
提供进一步的控制灵活性。此外，该器件支持JEDEC标准的制造商和
设备标识与64位唯一序列号。
2，特点
•家庭SpiFlash的回忆
- W25Q64BV：64M比特/8M字节（8,388,608）
- 每可编程页256字节
•标准，双路或四路SPI
- 标准的SPI：CLK，/ CS，DI，DO，/ WP，/保持
11
- 双SPI：CLK，/ CS，IO0，IO1/ WP，/保持
- 四通道SPI：CLK，/ CS，IO0，IO1，IO2，IO3
•最高性能的串行闪存
- 截至普通串行闪存的6倍
- 80MHz的时钟运行
- 160MHz的等效双SPI
- 320MHz的相当于四SPI
- 40MB/ S的连续数据传输率
•高效“连续读取模式”
- 低开销指令
- 仅仅在8个时钟周期，以解决内存
- 实现了真正的XIP（执行到位）操作
- 胜过X16并行闪存
12
注1：请联系华邦细节
•低功耗，宽温度范围
- 单2.7到3.6V电源
- 4毫安工作电流<1μA的关断（典型值）。
- 40°C至+ 85°C的工作范围
•灵活的架构与4KB扇区
- 统一扇区擦除（4K字节）
- 块擦除（32K和64K字节）
- 计划一个256字节
- 超过100,000擦除/写周期
- 超过20年的数据保存
•先进的安全特性
- 软件和硬件写保护
13
- 顶部或底部，部门或块选择
- 向下锁定和OTP保护（1）
- 64位唯一ID为每个设备（1）
•空间高效的包装
- 8引脚SOIC208万
- 8引脚PDIP300万
- 8垫WSON8X6毫米
- 16引脚SOIC300万
- 联系华邦KGD和其他选项
- 6 -
3引脚配置SOIC208-MIL
1
2
14
3
4
8
7
6
5
/ CS
DO（IO1） / WP（IO2）GND
VCC
/保持（IO3）CLK
15
DI（IO0）
图1a。 W25Q64BV引脚分配，8引脚SOIC208密耳（包装代号SS）
，焊垫配置WSON8X6-MM
1
2
3
4
8
7
6
5
/ CS
DO（IO1）
4 16
/ WP（IO2）
GND
VCC
/保持（IO3）
CLK
DI（IO0）
1
2
3
4
8
7
6
17
5
/ CS
DO（IO1）
/ WP（IO2）
GND
VCC
/保持（IO3）
CLK
DI（IO0）
图1b。 W25Q64BV垫作业，8片WSON8X6毫米（封装代码ZE）
W25Q64BV
出版日期：2010年7月8日
- 7 - 版本E
18
，焊垫配置PDIP300密耳
1
2
3
4
8
7
6
5
/ CS
DO（IO1）
/ WP（IO2）
GND
5 19
VCC
/保持（IO3）
CLK
DI（IO0）
1
2
3
4
8
7
6
5
/ CS
20
DO（IO1）
/ WP（IO2）
GND
VCC
/保持（IO3）
CLK
DI（IO0）
图1c。 W25Q64BV引脚分配，8引脚PDIP封装（封装代码DA）
6引脚说明SOIC208密耳，PDIP300密耳和WSON8X6-MM
端无。引脚名称I / O功能
1/ CS I片选输入
2 DO（IO1）的I / O数据输出（数据输入输出1）*1
3/ WP（IO2）的I / O写保护输入（数据输入输出2）*2
21
4 GND接地
5 DI（IO0）的I / O数据输入（数据输入输出0）*1
6 CLK I串行时钟输入
7/ HOLD（110 3）I / O的保持输入（数据输入输出3）*2
8 VCC电源
*1 IO0和IO1用于标准和双SPI指令
* 2 IO0 - IO3用于四路SPI指令
W25Q64BV
- 8 -
7引脚配置SOIC300mil的
1/ HOLD（IO3）
2
3
22
4
5
6
7
8
16 15 14 13 12 11 10 9
23
VCC
N / C
N / C
N / C
N / C
/ CS
DO（IO）CLK
DI（IO0）N / C
N / C
N / C
N / C
24
GND
/ WP（IO）
12
1/ HOLD（IO3）2
3
4
5
6
7
8
16
15
25
14
13
12
11
10
9
VCC
N / C
N / C
N / C
N / C
/ CS
DO（IO）26
CLK
DI（IO0）
N / C
N / C
N / C
N / C
GND
/ WP（IO）
12
图1d。 W25Q64BV引脚分配，16引脚SOIC300mil的（包装代号SF）
8引脚说明SOIC300mil的
PAD号。引脚名称I / O功能
1/ HOLD（110 3）I / O的保持输入（数据输入输出3）*2
27
2 VCC电源
3 N / C无连接
4 N / C无连接
5 N / C无连接
6 N / C无连接
7/ CS I片选输入
8 DO（IO1）的I / O数据输出（数据输入输出1）*1
9/ WP（IO2）的I / O写保护输入（数据输入输出2）*2
10 GND接地
11 N / C无连接
12 N / C无连接
13 N / C无连接
14 N / C无连接
28
15 DI（IO0）的I / O数据输入（数据输入输出0）*1
16 CLK I串行时钟输入
*1 IO0和IO1用于标准和双SPI指令
* 2 IO0 - IO3用于四路SPI指令
W25Q64BV
出版日期：2010年7月8日
- 9 - 版本E
8.1封装类型
W25Q64BV在一个8引脚塑料208密耳SOIC宽提供的（包代码SS）和8X6毫米WSON
（包代码ZE）在图1a中，和图1b分别如图所示。 300万8引脚PDIP是另一种选择
软件包选择（图1c）。该W25Q64BV还提供16引脚塑料300密耳SOIC宽
如图1D（包代码SF）。包图和尺寸示出在结束时
29
说明书。
8.2芯片选择（/ CS）
该SPI片选（/ CS）引脚启用和禁用设备的运行。当/ CS为高电平时器件
取消和串行数据输出（DO或IO0，IO1，IO2，IO3）引脚处于高阻抗。当
取消选择，设备的功耗将在待机的水平，除非内部擦除，编程或
状态寄存器周期正在进行中。当/ CS被拉低该设备将被选中，电力
消耗将增加至活性水平与指示可以写入并从读出的数据
设备。上电后，/ CS必须从高过渡到低之前，一个新的指令将被接受。
该/ CS输入必须跟踪上电时VCC电源电平（见“写保护”和图31）。如果
需要上/ CS上的上拉电阻可以被用来实现此目的。
8.3串行数据输入，输出和IO（DI，DO和IO0，IO1，IO2，IO3）
该W25Q64BV支持标准的SPI，双SPI和四路SPI操作。标准的SPI指令使用
单向DI（输入）引脚以串行写指令，地址和数据到设备上的上升
30
串行时钟（CLK）输入引脚的边缘。标准SPI还使用了单向DO（输出）来读取
从下降沿CLK设备的数据或状态。
双路和四路SPI指令使用双向IO引脚串行写指令，地址或
数据到装置在CLK的上升沿和读的下降沿，从器件数据或状态
CLK。四通道SPI指令需要非易失性四路使能位（QE）的状态寄存器-2进行设置。
当QE=1/ WP引脚变为IO2和/ HOLD引脚变为110 3。
8.4写保护（/ WP）
写保护（/ WP）引脚可用于防止状态寄存器被写入。在使用
随着状态一起注册的块保护（美国证券交易委员会，结核病，BP2，BP1和BP0）位和状态
寄存器保护（SRP）位，部分或整个存储器阵列可以是硬件保障。该/ WP
引脚为低电平有效。当状态的QE位寄存器-2设置为四I/ O的/ WP引脚（硬件写
保护）功能不可用，因为这个引脚用于IO2。参见图1A，1B，1C和1D为销
四I/ O操作的配置。
31
8.5控股（/ HOLD）
在/ HOLD引脚可同时积极选择的设备被暂停。当/ HOLD变为低电平，
而/ CS为低时，DO引脚将处于高阻抗，在DI和CLK引脚上的信号将被忽略
（不关心）。当/ HOLD拉高，设备操作就可以恢复。在/ HOLD功能可以
有用，当多个设备共享同一SPI信号。在/ HOLD引脚为低电平有效。当
状态的QE位寄存器-2设置为四I/ O的/ HOLD引脚功能不可用，因为该引脚为
用于IO3。参见图1A-D为四I/ O操作的引脚配置。
8.6串行时钟（CLK）
SPI串行时钟输入（CLK）引脚为串行输入和输出操作的时序。 （“见SPI
操作“）
W25Q64BV
- 10 -
9框图
32
图2 W25Q64BV串行闪存框图
00FF00h00FFFFH
•块0（64KB）•
0000000000FFh
•
•
•
1FFF00h1FFFFFH
•31座（64KB）•
1F0000h1F00FFh
20FF00h20FFFFh
•32座（64KB）•
200000h2000FFh
33
•
•
•
3FFF00h3FFFFFh
•63座（64KB）•
3F0000h3F00FFh
40FF00h40FFFFh
•64座（64KB）•
为400000h4000FFh •
•
•
7FFF00h7FFFFFH
34
•127座（64KB）•
7F0000h7F00FFh
列解码
字节和256字节的缓冲区页 开始
页地址
结束
页地址
W25Q64BV
SPI
指挥
控制逻辑
字节地址
35
锁存器/计数器
状态
注册
写控制
逻辑
页地址
锁存器/计数器
高电压
发电机
xx0F00h xx0FFFh •扇区0（4KB）•
xx0000h xx00FFh xx1F00h xx1FFFh 36
•扇区1（4KB）•
xx1000h xx10FFh
xx2F00h xx2FFFh
•扇区2（4KB）•
xx2000h xx20FFh
•
•
•
xxDF00h xxDFFFh
•部门13（4KB）•
xxD000h xxD0FFh xxEF00h xxEFFFh
•部门14（4KB）•
37
xxE000h xxE0FFh
xxFF00h xxFFFFh
•部门15（4KB）•
xxF000h xxF0FFh
块分割
数据
写保护逻辑和行译码DO（IO1）
DI（IO0）
/ CS
CLK
/保持（IO3）
/ WP（IO2）
38
00FF00h00FFFFH
•块0（64KB）•
0000000000FFh
•
•
•
1FFF00h1FFFFFH
•31座（64KB）•
1F0000h1F00FFh
20FF00h20FFFFh
•32座（64KB）•
200000h2000FFh
•
39
•
•
3FFF00h3FFFFFh
•63座（64KB）•
3F0000h3F00FFh
40FF00h40FFFFh
•64座（64KB）•
为400000h4000FFh •
•
•
7FFF00h7FFFFFH
•127座（64KB）•
40
7F0000h7F00FFh
列解码
字节和256字节的缓冲区页
开始
页地址
结束
页地址
W25Q64BV
SPI
指挥
控制逻辑
字节地址
锁存器/计数器
41
状态
注册
写控制
逻辑
页地址
锁存器/计数器
高电压
发电机
xx0F00h xx0FFFh •扇区0（4KB）•
xx0000h xx00FFh xx1F00h xx1FFFh •扇区1（4KB）•
42
xx1000h xx10FFh
xx2F00h xx2FFFh
•扇区2（4KB）•
xx2000h xx20FFh
•
•
•
xxDF00h xxDFFFh
•部门13（4KB）•
xxD000h xxD0FFh xxEF00h xxEFFFh
•部门14（4KB）•
xxE000h xxE0FFh
43
xxFF00h xxFFFFh
•部门15（4KB）•
xxF000h xxF0FFh
块分割
数据
写保护逻辑和行译码DO（IO1）
DI（IO0）
/ CS
CLK
/保持（IO3）
/ WP（IO2）
W25Q64BV
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出版日期：2010年7月8日
- 11 - 版本E
10功能描述
10.1 SPI操作
10.1.1标准SPI指令
该W25Q64BV通过一个SPI兼容总线组成的四个信号访问：串行时钟
（CLK），片选（/ CS），串行数据输入（DI）和串行数据输出（DO）。标准的SPI指令
使用DI输入端子串行地写上的上升沿指令，地址和数据到设备
CLK。 DO输出引脚用于从下降沿CLK设备读取数据或状态。
SPI总线操作模式0（0,0）和3（1,1）的支持。模式0和之间的主要区别
模式3是关于CLK信号的正常状态时SPI总线主人是在待机和数据
不被传输到串行闪存。对于模式0的CLK信号通常是低的下降，
的/ CS上升沿。模式3的CLK信号通常是高上/ CS的上升沿和下降沿。
45
10.1.2双SPI指令
该W25Q64BV支持双SPI操作使用“快速阅读双输出和双I / O”的时候（3B
和BB十六进制）的说明。这些指令允许数据被转移到或从设备在两
普通串行闪存器件的三倍的速率。双读指令是理想的快速
下载代码来在上电时（代号阴影）RAM或用于执行非高速关键码
直接从SPI总线（XIP）。当使用双SPI指令DI和DO管脚
双向I/ O引脚：IO0和IO1。
10.1.3四路SPI指令
该W25Q64BV支持四路SPI操作使用“快速阅读四路输出”时，“快速阅读
四I/ O“和”八字读四I/ O“（分别为6B，EB和E3十六进制）。这些指令允许
数据被转移到或从设备的四至六倍的普通串行闪存的速率。四方
读指令提供连续和随机存取传输速率的显著改善
允许快速的代码遮蔽直接从SPI总线（XIP）内存或执行。当使用四通道SPI
46
指令DI和DO引脚变为双向IO0和IO1和/ WP和/ HOLD引脚变为
IO2和IO3分别。四通道SPI指令都需要在状态非易失性四路使能位（QE）
注册-2进行设置。
10.1.4保持功能
在/ HOLD信号使W25Q64BV操作被暂停，而它正在积极选择（当/ CS为
低）。在/ HOLD功能可以在SPI数据和时钟信号与共享的情况下很有用
其他设备。例如，考虑如果页面缓冲器只有部分被写入时，优先中断
需要使用的SPI总线。在这种情况下，/保持功能可以保存指令和状态
在缓冲区中的数据，以便编程就可以恢复它离开的地方，一旦总线再次可用。该
/ HOLD功能只适用于标准SPI和双SPI操作，而不是在四路SPI。
要启动/保持状态，设备必须与/ CS为低电平来选择。 A / HOLD条件将激活
上/ HOLD信号的下降沿，如果在CLK信号已经是低电平。如果CLK是不是已经很低了
CLK的下一个下降沿后/ HOLD条件将激活。在/ HOLD条件将终止对
47
上升/ HOLD信号的边缘，如果CLK信号已经很低。如果CLK是不是已经很低了/ HOLD
CLK的下一个下降沿后情况将终止。在A /保持状态下，串行数据
输出（DO）是高阻抗，和串行数据输入（DI）和串行时钟（CLK）被忽略。芯片
选择（/ CS）信号应保持有效（低电平）/保持操作的全部时间，以避免
重置设备的内部逻辑状态。
W25Q64BV
- 12 -
10.2写保护
使用非易失性存储器中的应用程序必须考虑到噪声等的可能性
不利的制度条件，可能会破坏数据的完整性。为了解决这一问题的W25Q64BV
提供了多种方式来保护数据免受意外写操作。
10.2.1写保护功能
•器件复位当VCC低于阈值
48
•上电后延时写入禁止
•允许写入程序后，/禁用指令和自动写入禁用和删除
使用状态寄存器•软件和硬件（/ WP引脚）写保护
•使用掉电指令写保护
•锁定写保护，直到下次上电时（1）
•一次性编程（OTP）的写保护（1）
注1：这些功能可根据特殊订货。请与华邦的细节。
上电时，或在电源关闭时，W25Q64BV将保持在复位状态，而VCC低于
第V WI阈值（参见上电时序和电压水平和图31）。当复位时，所有
操作被禁止，也没有说明被认可。在上电和VCC电压后，
超过V WI，所有的编程和擦除的相关说明为吨PUW的时间延迟进一步禁用。这
包括写使能，页面编程，扇区擦除，块擦除，芯片擦除和写入状态
注册说明书。注意，芯片选择引脚（/ CS）必须跟踪在上电时VCC电源电平，直到
49
在VCC分钟级和T VSL时间延迟到达。如果需要的话在/ CS上的上拉电阻可以用来
实现这一点。
上电后设备会自动放置在写禁止状态与状态寄存器写
使能锁存器（WEL）设置为0。写使能指令的页面编程之前，必须发出，部门
擦除，芯片擦除或写状态寄存器指令将被接受。完成程序后，
擦除或写入指令中的写使能锁存（WEL）会自动清零，写禁用状态
0。
软件控制的写保护是使用写状态寄存器指令和设置方便
状态寄存器保护（SRP0，SRP 1）和块保护（美国证券交易委员会，结核病，BP2，BP1和BP0）位。这些
设置允许的记忆的一部分或全部被配置为只读。配合使用的
写保护（/ WP）引脚，改变状态寄存器，可以启用或在硬件禁用
控制。请参阅有关详细信息，状态寄存器。此外，掉电指令提供
写保护的额外水平，因为所有的指令都将被忽略除推出掉电
50
指令。
W25Q64BV
出版日期：2010年7月8日
- 13 - 版本E
11，控制和状态寄存器
读状态寄存器-1和状态寄存器-2指令可用于在提供状态
闪存阵列的可用性，如果该设备是写启用或禁用，写的状态
保护和四路SPI设置。在写状态寄存器指令可用于配置
设备的写保护功能和四SPI设置。写访问寄存器被控制的状态
非易失性状态的状态寄存器的保护位（SRP0，SRP 1），写使能指令，并
在某些情况下，/ WP引脚。
11.1状态寄存器
11.1.1忙
51
忙是在状态寄存器（S0）被设置为1的状态只读位时，该设备是执行
页编程，扇区擦除，块擦除，芯片擦除或写状态寄存器指令。在这
一次设备将忽略除读状态寄存器和擦除挂起的进一步说明
指令（见T W，T PP，T SE，T BE和t的交流特性，CE）。当程序，擦除或写状态
寄存器指令完成后，BUSY位将被清0的状态指示设备已准备就绪
有关进一步的说明。
11.1.2写使能锁存器（WEL）
写使能锁存器（WEL）在状态寄存器（S1）被设置为1执行后，只读位
写使能指令。的WEL状态位被清除为0时，该设备是写禁用。写
关闭状态时上电时或之后的任何下列指令：写禁止，页
计划，扇区擦除，块擦除，芯片擦除和写状态寄存器。
11.1.3块保护位（BP2，BP1，BP0）
块保护位（BP2，BP1，BP0）是非易失性的读/写状态寄存器（S4，S3位和
52
S2）提供写保护控制和状态。块保护位可以在写状态设置
寄存器指令（见T交流特性宽）。全部，没有或存储阵列的一部分可
保护，编程和擦除指令（见状态寄存器内存保护表）。该
出厂默认设置为块保护位为0，没有任何保护的数组。
11.1.4顶/底块保护（TB）
非易失性顶/底位（TB）的控制，如果数据块保护位（BP2，BP1，BP0）从保护
顶（TB=0）或阵列的底部（TB=1）如图所示的状态寄存器内存保护表。
出厂默认设置为TB=0。结核病位可以与写状态寄存器指令设置
根据SRP0，SRP 1和WEL位的状态。
11.1.5部门/块保护（SEC）
非易失性部门保护位（SEC）的控制，如果数据块保护位（BP2，BP1，BP0）保护4KB
部门（SEC=1）或64KB的块（SEC=0）的顶部（TB=0）或底部，如图所示的阵列（TB=1）
在状态寄存器内存保护表。默认设置为美国证券交易委员会=0。
53
W25Q64BV
- 14 -
11.1.6状态寄存器保护（SRP，SRP0）
状态寄存器的保护位（SRP和SRP0）是非易失性的阅读状态寄存器/写位
（S8和S7）。 SRP的位控制写保护的方法：软件保护，硬件
保护，电源向下锁定或一次可编程（OTP）保护。
SRP 1 SRP0/ WP
状态
注册
说明
00 X
软件
保护
54
/ WP引脚有没有控制权。状态寄存器可以写入
写使能指令后，WEL=1。 [出厂设置]
0 1 0
硬件
受保护
当/ WP引脚为低电平状态寄存器锁定，无法
被写入。
0 1 1
硬件
无保护
当/ WP引脚为高电平状态寄存器被解锁，并可以
写使能指令，WEL=1后，被写入。
10 X
55
电源
向下锁定（1）
状态寄存器是受保护的，不能再写入
直到下一次断电，加电循环。 （2）
1 1 X
一度
方案（1）
状态寄存器是永久保护，不能被
写入。
注意：
1，这些功能可根据特殊订货。请与华邦的细节。
2，当SRP 1，SRP0=（1，0），掉电，上电周期将改变SRP 1，SRP0为（0，0）的状态。
11.1.7四启用（QE）
56
四方启用（QE）位在状态寄存器（S9），允许四非易失性读/写位
操作。当QE位设置为0状态（出厂默认）/ WP引脚和/保持启用。当
的QE位被设置为1的四IO2和IO3引脚被使能。
警告：QE位不应该标准的SPI或双SPI操作，如果期间被设置为1
/ WP或/ HOLD引脚直接连接到电源或接地。
W25Q64BV
出版日期：2010年7月8日
- 15 - 版本E
图3a。状态寄存器-1
图3b。状态寄存器-2
W25Q64BV
- 16 -
1
57
1.1.8状态寄存器内存保护
状态寄存器（1）W25Q64BV（64M位）内存保护
美国证券交易委员会结核病BP2 BP1 BP0嵌段（S）的地址密度部分
X X0 0 0无无无无
0 0 0 011261277E0000h - 7FFFFFH128KB上六十四分之一
00010124〜1277C0000h - 7FFFFFH256KB上1/32
00011120〜127780000h - 7FFFFFH512KB上1/16
00100112〜127700000h - 7FFFFFH1MB上1/8
001 0 196〜127600000h - 7FFFFFH2MB上四分之一
0011064〜127为400000h - 7FFFFFH4MB上半
0100101000000 - 01FFFFH128KB下1/64
0 1 0 10 0〜3000000 - 03FFFFh256KB下三十二分之一
0 1 0 11 0〜7000000 - 07FFFFh512KB下一十六分之一
58
0 1 1 00 0〜15000000 - 0FFFFFH1MB下八分之一
0 1 10 1 0〜31000000 - 1FFFFFH2MB下四分之一
01 1 100〜63000000 - 3FFFFFh4MB下半
XX1110〜127000000 - 7FFFFFH8MB全部
100011277FF000h - 7FFFFFH4KB顶座
100101277FE000h - 7FFFFFH8KB顶座
100111277FC000h - 7FFFFFH16KB顶座
1 0 10 X1277F8000h - 7FFFFFH32KB顶座
110010000000 - 000FFFh4KB底块
11 0 100000000 - 001FFFh8KB底块
1 1 01 1 0000000 - 003FFFh16KB底座
1 1 10 X 0000000 - 007FFFh32KB底块
注意：
59
1，X =不关心
W25Q64BV
出版日期：2010年7月8日
- 17 - 版本E
11.2说明
该W25Q64BV的指令集包括了完全控制27条基本指令
通过SPI总线（见指令集表）。指令通过芯片的下降沿启动
选择（/ CS）。数据移入DI输入的第一个字节为指令代码。在直接投资数据
输入被采样时钟的大多数显著位（MSB）的第一上升沿。
指令中的长度发生变化，从一个单一的字节数的字节，并且可以随后通过地址字节，数据
字节填充字节（不关心），并且在一些情况下，组合。指令完成的同
边缘/ CS上升沿。时钟相对定时图表，用于每个指令都包含在图4
经过30所有读取指令就可以完成后的任何主频位。然而，所有的指令
60
写，编程或擦除必须完成一个字节边界（/ CS驱动为高电平后，一个完整的8位已
时钟），否则该指令将被终止。此功能还可以保护设备
意外写入。此外，虽然存储器进行编程或擦除时，或当状态
寄存器被写，除了读状态寄存器的所有指令都将被忽略，直到程序
或擦除周期已经完成。
11.2.1制造商和设备标识
制造商ID（M7-M0）
华邦串行闪存EFh之间
设备ID（ID7-ID0）
（ID15-ID0）
指令ABH，90H
9FH
W25Q64BV16小时4017h
61
W25Q64BV
- 18 -
11.2.2指令集表1（1）
指令
名称
字节1
（代码）
字节2字节3字节4字节5字节6
写使能06H
写禁止04H
读状态寄存器105H（S7-S0）（2）
读状态寄存器235H（S15-S8）（2）
写状态寄存器01H（S7-S0）（S15-S8）
62
页编程02H A23-A16 A15-A8 A7-A0（D7-D0）
四页编程32h的A23-A16 A15-A8 A7-A0（D7-D0，...）（3）
块擦除（64KB）D8H A23-A16 A15-A8 A7-A0
块擦除（32KB）52H A23-A16 A15-A8 A7-A0
扇区擦除（4KB）20H A23-A16 A15-A8 A7-A0
芯片擦除C7H/60H
擦除挂起75H
删除恢复7安
掉电B9H
高性能模式A3H假人假人假人
连续读取模式
复位（4）
FFH FFH
63
发布掉电或
HPM/设备ID
ABH虚设虚设虚设（ID7-ID0）（5）
制造商/
设备ID（6）
90H假人假人00H（MF7-MF0）（ID7-ID0）
读取唯一ID（7）4BH假人假人假人假人（ID63-ID0）
JEDEC的ID9FH
（MF7-MF0）
制造商
（ID15-ID8）
内存类型
（ID7-ID0）
64
容量
注意事项：
1，数据字节偏移与最高有效位。与括号中的数据字节域“（）”表示数据被读取
从DO引脚的器件。
2，状态寄存器的内容将不断重复，直到/ CS终止指令。
3，四页编程输入数据
IO0=（D4，D0，...）
IO1=（D5，D1，......）
IO2=（D 6，D 2，......）
IO3=（D7，D3，......）
4，此指令是使用双核或四“连续读取模式”功能时，建议。见
29年2月11日以获取更多信息。
5，设备ID将不断重复，直到/ CS终止指令。
65
6参见制造商和设备标识表设备ID信息。
7，此功能可根据特殊订货。请与华邦的细节。
W25Q64BV
出版日期：2010年7月8日
- 19 - 版本E
11.2.3指令集表2（阅读说明书）
指令
名称
字节1
（代码）
字节2字节3字节4字节5字节6
读取数据03H A23-A16 A15-A8 A7-A0（D7-D0）
快速读值0Bh A23-A16 A15-A8 A7-A0假（D7-D0）
66
快速阅读双输出3BH A23-A16 A15-A8 A7-A0假（D7-D0，...）（1）
快速读双I / O BBH A23-A8（2）A7-A0，M7-M0（2）（D7-D0，...）（1）
快速阅读四路输出6BH A23-A16 A15-A8 A7-A0假（D7-D0，...）（3）
快速阅读四I/ O的EBH A23-A0，M7-M0（4）（X，X，X，X，D7-D0，...）（5）（D7-D0，...）（3）
八进制字的读
四I/ O（6）
E3H A23-A0，M7-M0（4）（D7-D0，...）（3）
注意事项：
1，双输出数据
IO0=（D6，D4，D2，D0）
IO1=（D7，D5，D3，D1）
2，双输入地址
IO0= A22，A20，A18，A16，A14，A12，A10，A8 A6，A4，A2，A0，M6，M4，
67
M2，M0
IO1= A23，A21，A19，A17，A15，A13，A11，A9 A7，A5，A3，其中A1，M7，M5，M3，M1
3，四路输出数据
IO0=（D4，D0，... ..）
IO1=（D5，D1，... ..）
IO2=（D 6，D 2，......）
110 3=（D7，D 3，... ..）
4，四路输入地址
IO0= A20，A16，A12，A8，A4，A0，M4，M0
IO1= A21，A17，A13，A9，A5，A1，M5，M1
IO2= A22，A18，A14，A10，A6，A2，M6，M2
110 3= A23，A19，A15，A11，A7，A3，M7，M3
5，快速读四I/ O数据
68
IO0=（X，X，X，X，D 4，D 0，......）
IO1=（X，X，X，X，D5，D1，......）
IO2=（X，X，X，X，D 6，D 2，......）
IO3=（X，X，X，X，D7，D3，...。）
6，最低的4个地址位必须为0（A0，A1，A2，A3= 0）
W25Q64BV
- 20 -
11.2.4写使能（06H）
写使能指令（图4）设置写使能在状态锁存（WEL）位寄存器到
1，WEL位之前，必须设置每个页面编程，扇区擦除，块擦除，芯片擦除和
写状态寄存器指令。写使能指令通过驱动/ CS为低电平，移位进入
指令代码“06H”到在CLK的上升沿数据输入引脚（DI），然后驾驶/ CS高。
图4。写使能指令序列图
69
11.2.5写禁止（04H）
写禁止指令（图5）复位写使能在状态锁存（WEL）位寄存器来
0。写入禁止指令通过驱动/ CS为低电平时，转移指令代码“04H”进入进入
DI脚，然后驾驶/ CS高。请注意，WEL位后，上电和时自动复位
在写状态寄存器，页面编程，扇区擦除，块擦除和芯片擦除完毕
说明。
图5。写禁止指令序列图
W25Q64BV
出版日期：2010年7月8日
- 21 - 版本E
11.2.6读状态寄存器1（05H）和读状态寄存器2（35H）
读状态寄存器指令允许8位状态寄存器被读取。该指令是
通过驱动/ CS为低电平和状态转移指令代码“05H”进入注册-1和“35H”的
70
状态寄存器-2成在CLK的上升沿DI引脚。状态寄存器位被移出
首先，如图6中的地位DO引脚在CLK与大多数显著位（MSB）的下降沿
寄存器位被显示在图3a和3b以及包括忙音，WEL，BP2-BP0，结核病，SEC SRP0，
SRP 1和QE位（见本数据表中的状态寄存器的描述）。
读状态寄存器指令，可以在任何时候使用，甚至在某个程序，擦除或写入
状态寄存器周期正在进行中。这使得忙状态位进行检查，以确定何时
这个周期完成，如果该设备可以接受其他指令。状态寄存器可以读
连续地，如示于图6的指令由驱动/ CS高完成。
图6：读状态寄存器指令序列图
W25Q64BV
- 22 -
11.2.7写状态寄存器（01H）
在写状态寄存器指令允许写入状态寄存器。一个写使能指令
71
必须预先为设备接受写状态寄存器指令（状态被执行死刑
寄存器位WEL必须等于1）。一旦写使能后，指令通过驱动/ CS为低电平输入，
发送的指令代码为“01H”，然后再写入状态寄存器的数据字节，如图7。
状态寄存器位如图3和更早的说明书描述。
仅非挥发性状态寄存器位SRP0，美国证券交易委员会，结核病，BP2，BP1，BP0（，位7，5 4，3，2状态的
注册-1）和量化宽松政策，SRP 1（9位和状态寄存器-2）8可以写入。所有其他状态寄存器
位的位置是只读的，并不会受写状态寄存器指令。
即移入数据的第八或第十六位后/ CS引脚必须被驱动为高电平。如果这不是
做了写状态寄存器指令不被执行。如果/ CS第八个时钟驱动后高
（与25X系列兼容）的量化宽松政策和SRP 1位将被清零后/ CS驱动为高电平时，
自定时写状态寄存器周期将开始为Tw的持续时间（见AC特性）。
虽然写状态寄存器周期正在进行中，读状态寄存器指令仍可能
72
访问检查BUSY位的状态。 BUSY位为1时的写状态寄存器周期
和0时，循环结束，准备再次接受其他指令。后写寄存器
周期结束的写使能状态寄存器锁存（WEL）位将被清0。
在写状态寄存器指令允许块保护位（美国证券交易委员会，结核病，BP2，BP1和BP0）是
设置保护所有，部分，或没有从擦除和编程指令的存储器。受保护
区成为只读（见状态寄存器内存保护表和说明）。写状态
寄存器指令还允许状态寄存器保护位（SRP0，SRP 1）进行设置。这些位是
配合使用写保护（/ WP）引脚，锁定或OTP功能禁用写入
状态寄存器。请参见11.1.6的有关状态寄存器保护的详细说明
方法.Factory默认情况下所有的状态寄存器位0。
图7。写状态寄存器指令序列图
W25Q64BV
出版日期：2010年7月8日
73
- 23 - 版本E
11.2.8读取数据（03H）
读数据指令允许一个或多个数据字节被顺序地从存储器中读出。该
指令通过驱动/ CS引脚为低电平，然后转移指令代码“03H”之后发起的
一个24位地址（A23-A0）为DI引脚。代码和地址位被锁存的上升沿
CLK引脚。收到地址后，指定的存储单元的数据字节将被移出
在DO引脚在CLK的大多数显着位（MSB）在前下降沿，该地址是自动
递增到下一个更高的地址数据的每个字节之后被移出允许连续
数据流，这意味着整个存储器可以用一条指令，只要被访问
时钟仍在继续。该指令通过驱动/ CS为高电平完成。
读数据的指令序列示于图8中如果读数据指令，同时一个发出
擦除，编程或写周期过程中（BUSY=1），该指令被忽略，不会有任何
在当前周期的影响.The读取数据指令允许的时钟频率从直流到最大F R的
74
（见AC电气特性）。
图8：读取数据指令序列图
W25Q64BV
- 24 -
11.2.9快速阅读（0Bh），
快速读指令类似，但它可以在最高操作读取数据的指令
FR可能的频率（见AC电气特性）。这是通过添加8完成
24位的地址后“虚拟”时钟如图9的模拟时钟允许器件
内部电路的额外时间用于建立初始地址。在模拟时钟的数据值
在DO引脚是一个“不关心”。
图9。快速读取指令序列图
W25Q64BV
出版日期：2010年7月8日
75
- 25 - 版本E
11.2.10快速读双输出（3BH）
快速阅读双输出（3BH）指令类似于标准的快速阅读（0Bh），除非指令
该数据是在两个引脚输出; IO0和IO1。这允许将数据从W25Q64BV转印在
标准SPI器件的两倍。快速阅读双输出指令是理想的快速
从Flash下载代码来在上电时或应用程序RAM的高速缓存的代码段，以
RAM中执行。
类似的快速读取指令，快速读双输出指令可以在最高工作
FR可能的频率（见AC电气特性）。这是通过添加8完成
24位的地址后“虚拟”时钟，如图10的模拟时钟允许该设备的
内部电路的额外时间用于建立初始地址。在模拟时钟的输入数据
是“不关心”。但是，IO0销应先于所述第一数据的下降沿高阻抗
出时钟。
76
图10快速读双输出指令序列图
W25Q64BV
- 26 -
11.2.11快速读四路输出（6BH）
快速阅读四路输出（6BH）指令类似于快速读双输出（3BH）指令
除了这种数据是对四个引脚，IO0，IO1，IO2和IO3输出。一个四启用状态的寄存器-2必须是
执行前，该设备将接受快速阅读四路输出指令（状态寄存器位量化宽松政策
必须等于1）。快速阅读四路输出指令允许数据从W25Q64BV转移
在标准SPI设备四倍的速率。
快速阅读四路输出指令可以在FR的最高可能频率运行（见交流
电气特性）。这是由24位地址后加上八个“虚拟”钟完成
如示于图11的模拟时钟允许器件的内部电路的额外时间用于设置
的初始地址。在模拟时钟的输入数据是“不关心”。然而，在IO引脚应
77
是高阻抗的第一数据输出时钟的下降沿之前。
图11。快速阅读四路输出指令序列图
W25Q64BV
出版日期：2010年7月8日
- 27 - 版本E
11.2.12快速读双I / O（BBH）
快速读双I / O（BBH）指令允许提高随机访问，同时保持两个IO
销，0 IO和IO1。它是类似于快速阅读双输出（3BH）指令而有能力向
输入地址位（A23-0）每时钟两位。这减少了指令的开销可允许代码
执行（XIP）直接从双SPI中的一些应用。为了确保最佳性能
高性能模式（HPM）指令（A3H）必须执行一次，之前快速读双I / O
指令。
快速读双I/ O的“连续读取模式”
78
快速读双I/ O指令可以通过设置进一步减少多余的指令开销
“连续读取模式”位（M7-0）后输入地址位（A23-0），如示于图12a中。该
在（M7-4）的高四位控制下一个快速读取双I/ O指令通过长度
包含或排除的第一个字节的指令代码。在（M3-0）的低四位位不在乎
（“×”）。但是，IO引脚应该是高阻抗的第一个数据输出时钟的下降沿之前。
如果“连续读取模式”位（M7-0）等于“开刀”（十六进制），那么下一个快速读取双I/ O指令
（后/ CS被升高，然后降低）不需要BBH指令代码，如图12B所示。
这减少了由八个时钟周期的指令序列，并允许读出地址是立即
之后输入/ CS为低电平。如果“连续读取模式”位（M7-0）比其他任何值
“斧头”（十六进制），下一个指令（后/ CS被升高，然后降低）需要的第一个字节的指令代码，
从而返回到正常操作。 “连续读取模式”复位指令可以用来重置
（M7-0）发出正常指令之前（见29年2月11日详细说明）。
79
图12a。快速阅读双输入/输出指令序列图（M7-0=0xh或NOT AXH）
W25Q64BV
- 28 -
图12b。快速阅读双输入/输出指令序列图（M7-0= AXH）
W25Q64BV
出版日期：2010年7月8日
- 29 - 版本E
11.2.13快速读取四I/ O（EBH）
快速读四I/ O（EBH）指令类似于快速读双I / O（BBH）的指令，除非
该地址和数据位是输入和输出，通过四个引脚IO0，IO1，IO2和IO3和四个虚设
时钟之前所需要的数据输出。在四I/ O大幅减少多余的指令开销
允许执行代码（XIP）直接从四SPI更快的随机访问。四方使能位
现状（QE）寄存器2必须设置为启用快速读取四I/ O指令。为了确保最佳
80
性能的高性能模式（HPM）指令（A3H）必须被执行一次，先于
快速阅读四I/ O指令。
快速阅读四I/ O的“连续读取模式”
快速读四I/ O指令可以通过设置进一步减少多余的指令开销
“连续读取模式”位（M7-0）后输入地址位（A23-0），如示于图13a中。该
在（M7-4）的高四位控制下一个快速读取四I/ O指令通过长度
包含或排除的第一个字节的指令代码。在（M3-0）的低四位位不在乎
（“×”）。但是，IO引脚应该是高阻抗的第一个数据输出时钟的下降沿之前。
如果“连续读取模式”位（M7-0）等于“开刀”（十六进制），那么下一个快速读取四I/ O指令
（后/ CS被升高，然后降低）不需要EBH指令代码，如图13B所示。
这减少了由八个时钟周期的指令序列，并允许读出地址是立即
之后输入/ CS为低电平。如果“连续读取模式”位（M7-0）比其他任何值
“斧头”（十六进制），下一个指令（后/ CS被升高，然后降低）需要的第一个字节的
81
指令代码，
从而返回到正常操作。 “连续读取模式”复位指令可以用来重置
（M7-0）发出正常指令之前（见29年2月11日详细说明）。
字节1字节2
图13a。快速阅读四路输入/输出指令序列图（M7-0=0xh或NOT AXH）
W25Q64BV
- 30 -
图13b。快速阅读四路输入/输出指令序列图（M7-0= AXH）
W25Q64BV
出版日期：2010年7月8日
- 31 - 版本E
11.2.14八进制字读取四I/ O（E3H）
八进制字读取四I/ O（E3H）指令类似于快速读四I/ O（EBH）指令
82
所不同的是其低四位地址位（A0，A1，A2，A3）必须等于0。结果，四个模拟时钟
不是必需的，这进一步降低了指令的开销允许更快的随机接入
代码执行（XIP）。四方使能位（QE）的状态寄存器-2必须设置为启用八
字读四I/ O指令。为了确保最佳性能的高性能模式
（HPM）指令（A3H）必须被执行一次，前八字读四I/ O指令。
八进制字读取四I/ O的“连续读取模式”
八进制字读取四I/ O指令可以通过设置进一步减少多余的指令开销
“连续读取模式”位（M7-0）后输入地址位（A23-0），如示于图14a中。该
在（M7-4）的高四位控制下一个八进制字读取四I/ O指令通过长
第一个字节的指令代码包含或排除。在（M3-0）的低四位位不
关心（“×”）。然而，IO引脚前应首先进行数据的下降沿高阻抗
时钟。
如果“连续读取模式”位（M7-0）等于“开刀”（十六进制），那么下一个八进制字读取四I/ O
83
指令（后/ CS被升高，然后降低）不需要E3H指令代码，如图
图14B。这减少了由八个时钟周期的指令序列，并允许读地址是
马上进入后/ CS为低电平。如果“连续读取模式”位（M7-0）为任意值
比“斧头”（十六进制）其他，下一条指令（后/ CS被升高，然后降低）需要的第一个字节
指令代码，并返回到正常操作状态。 “连续读取模式”复位指令可以
用于发放正常操作之前，重置（M7-0）（见29年2月11日详细说明）。
图14A。八进制字读取四I/ O指令序列（M7-0=0xh或NOT AXH）
指令（E3H）
字节1字节2字节3
404040
515151
626262
737373
84
40
51
62
73
4字节
指令（E3H）
字节1字节2字节3 404040
515151
626262
737373
40
51
85
62
73
4字节
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- 32 -
图14b。八进制字读取四I/ O指令序列（M7-0= AXH）
字节2字节3字节4
404040
515151
626262
737373
字节1
40
86
51
62
73
字节2字节3字节4 404040
515151
626262
737373
字节1
40
51
62
73
87
W25Q64BV
出版日期：2010年7月8日
- 33 - 版本E
11.2.15页编程（02H）
页面编程指令允许从一个字节到256字节的数据（一个页面），在要被编程
此前擦除（FFH）的存储位置。一个写使能指令前必须先执行
设备将接受页面编程指令（状态寄存器位WEL=1）。该指令被启动
通过驱动/ CS引脚为低电平，然后转移指令代码“02H”后跟一个24位地址（A23-A0）
和至少一个数据字节时，进入DI端子。该/ CS引脚必须保持为低电平的整个长度
指令，而数据正被发送到设备。页面编程指令序列示于
图15。
如果整个256字节页面进行编程，最后一个地址字节（8至少显著地址位）
应设置为0，如果最后一个地址字节不为零，而时钟数超过剩余
88
页面长度，寻址将换到页面的开始。在一些情况下，小于256字节（一
部分页面）可以不必在同一页上的其它字节的任何影响进行编程。一
条件来执行的部分页编程是时钟数不能超过剩余
页面长度。如果多于256个字节被发送到设备的寻址将换向的开头
页，并覆盖先前发送的数据。
正如写和擦除指令，/ CS引脚必须被驱动为高电平最后的第八位之后
字节已经被锁定。如果不这样做的页面编程指令将不会执行。经过/ CS为
驱动高，自定时页编程指令将展开TPP的持续时间（见交流
特性）。当页面编程周期正在进行中，读状态寄存器指令可
还可以访问用于检查中的BUSY位的状态。 BUSY位为1时的页面编程
周期，并成为0时循环结束，设备已准备好接受其他指令
再次。后页编程周期结束的写使能状态寄存器锁存（WEL）位
如果被寻址的页被保护的被清除为0的页编程指令将不会执行
89
该块保护（BP2，BP1和BP0）位。
图15页编程指令序列图
W25Q64BV
- 34 -
11.2.16四路输入页编程（32H）
在四页编程指令允许最多256个字节的数据，在此前进行编程
IO0，1的IO，IO2，和IO3：采用4引脚擦除（FFH）的存储位置。在四页的程序可以
改善PROM编程器以及具有较慢的时钟速度<5MHz的应用程序的性能。
更快的时钟速度的系统将不会实现了四页编程指令多少好处
由于固有的页面编程时间比它取到时钟在数据中的时间大得多。
使用四页编程的四启用状态寄存器-2必须设置（QE=1）。一个写使能
指令必须在设备前执行将接受四页编程指令（状态
寄存器-1，WEL= 1）。该指令通过驱动/ CS引脚为低电平，然后转移指令启动
90
代码为“32H”后跟一个24位地址（A23-A0）和至少一个数据字节，到IO引脚。该/ CS引脚
必须保持低的指令的整个长度，而数据正被发送到设备。所有其他
四页编程的功能是相同的标准页编程。在四页编程
指令序列示于图16中。
图16。四路输入页面编程指令序列图
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- 35 - 版本E
11.2.17扇区擦除（20H）
该扇区擦除指令集内的指定部门（4K字节）的所有记忆全部擦除状态
1秒（FFH）。一个写使能指令必须在设备前执行将接受扇区擦除
指令（状态寄存器位WEL必须等于1）.The指令通过驱动/ CS引脚为低电平启动
和转移指令代码“20H”后24位的扇区地址（A23-A0）（见图2）。该
91
扇区擦除指令序列示于图17。
该/ CS引脚必须被驱动为高电平后，最后一个字节的第八位已被锁定。如果不这样做
该扇区擦除指令不被执行。经过/ CS驱动高，自定时扇区擦除
指令将展开叔SE的持续时间（见AC特性）。虽然扇区擦除
周期正在进行中，读状态寄存器指令仍然可以用于检查的状态访问
BUSY位。 BUSY位是1的扇区擦除周期中，成为0时周期
完成，设备已准备好再次接受其他指令。之后的扇区擦除周期有
完成了写使能状态寄存器清0扇区擦除锁存器（WEL）位
指令将不被执行，如果处理的页面是由块保护（SEC，TB，BP2保护
BP1和BP0）位（见状态寄存器内存保护表）。
图17扇区擦除指令序列图
W25Q64BV
- 36 -
92
11.2.1832KB的块擦除（52H）
块擦除指令集内的指定块（32K字节）的所有记忆全部擦除状态
1秒（FFH）。一个写使能指令必须在设备前执行将接受块擦除
指令（状态寄存器位WEL必须等于1）.The指令通过驱动/ CS引脚为低电平启动
和转移指令代码“52H”后面的24位块地址（A23-A0）（见图2）。该座
擦除指令序列示于图18。
该/ CS引脚必须被驱动为高电平后，最后一个字节的第八位已被锁定。如果不这样做
块擦除指令不被执行。经过/ CS驱动高，自定时块擦除
指令将动工，T的持续时间为1（见AC特性）。而块擦除
周期正在进行中，读状态寄存器指令仍然可以用于检查的状态访问
BUSY位。 BUSY位是1的块擦除周期中，成为0时周期
完成，设备已准备好再次接受其他指令。之后的块擦除周期有
完成了写使能状态寄存器清0的块擦除锁存器（WEL）位
93
指令将不被执行，如果处理的页面是由块保护（SEC，TB，BP2保护
BP1和BP0）位（见状态寄存器内存保护表）。
图1832KB的块擦除指令序列图
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出版日期：2010年7月8日
- 37 - 版本E
11.2.1964KB的块擦除（D8H）
块擦除指令集内的指定块（64K字节）的所有记忆全部擦除状态
1秒（FFH）。一个写使能指令必须在设备前执行将接受块擦除
指令（状态寄存器位WEL必须等于1）.The指令通过驱动/ CS引脚为低电平启动
和转移指令代码“D8H”后面的24位块地址（A23-A0）（见图2）。该座
擦除指令序列示于图19。
该/ CS引脚必须被驱动为高电平后，最后一个字节的第八位已被锁定。如果不这样做
94
块擦除指令不被执行。经过/ CS驱动高，自定时块擦除
指令将动工，T的时间持续时间来（见AC特性）。而块擦除周期
在进展中，读状态寄存器指令仍然可以用于检查的状态访问
BUSY位。 BUSY位是1的块擦除周期中，当周期结束后变成0
而该设备已准备好再次接受其他指令。之后的块擦除周期结束的
写状态寄存器清0使能锁存（WEL）位在块擦除指令不被
如果处理页面是由块保护（美国证券交易委员会，结核病，BP2，BP1和BP0）位保护的执行（见
状态寄存器内存保护表）。
图19为64KB的块擦除指令序列图
W25Q64BV
- 38 -
20年2月11日芯片擦除（C7H/60H）
芯片擦除指令将装置为全1（FFH）的擦除状态中的所有记忆。 à写
95
启用指令必须在设备前执行将接受芯片擦除指令（状态
寄存器位WEL必须等于1）。该指令通过驱动/ CS脚低，转移的开始
指令代码“C7H”或“60小时”。在芯片擦除命令序列示于图20。
该/ CS引脚必须被驱动为高电平后的第八位被锁定。如果不这样做的芯片擦除
指令将不会执行。经过/ CS驱动高，自定时芯片擦除指令将
展开吨CE的持续时间（见AC特性）。而芯片擦除周期正在进行中，
读状态寄存器指令仍然可以被访问，以检查BUSY位的状态。该
BUSY位是1的芯片擦除周期中，成为完成时0和设备已准备好
再接受其他指令。之后，芯片擦除周期结束的写使能锁存（WEL）位
在状态寄存器清零。芯片擦除指令不被执行，如果的任何部分
数组是由块保护（BP2，BP1和BP0）位保护的（见状态寄存器内存保护
表）。
图20，芯片擦除指令序列图
96
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- 39 - 版本E
21年2月11日擦除挂起（75H）
擦除挂起指令“75H”，允许系统中断一个部门或块擦除操作
然后读取或程序数据，任何其他部门或块。擦除挂起指令
序列示于图21。
在写状态寄存器指令（01H）和擦除指令（20H，52H，D8H，C7H，60H）不
擦除过程中允许Suspend.Erase挂起只适用在扇区或块擦除操作。如果
芯片擦除或编程操作期间写入，擦除挂起指令被忽略。
擦除挂起指令“75H”，将通过该设备可以接受只有在状态SUS钻头
注册等于0，BUSY位等于1，而一个部门或块擦除仍在进行中。如果SUS
位等于1或BUSY位等于0，则暂停指令将通过该装置被忽略。 á
97
最大的“T SUS”（见AC特性）时，需要暂停擦除操作。该
在状态寄存器BUSY位将从1被清0中的“T技能提升计划”，并在状态SUS钻头
注册会从0到1后，立即擦除挂起设置。对于先前恢复擦除
操作时，还需要将该Suspend指令“75H”不早于最低发
“T SUS”是继前恢复指令“7安”的时间。
在擦除挂起状态意想不到的断电复位设备，松开暂停
在状态状态.SUS位寄存器也将复位为0。当时正在该部门或块中的数据
暂停可能会损坏。它被推荐用于实现系统设计的用户
擦除过程中防止意外断电技术，保护数据的完整性暂停
状态。
图21擦除挂起指令序列
W25Q64BV
- 40 -
98
22年2月11日擦除恢复（7安）
擦除恢复指令“7安”必须写入后恢复该部门或块擦除操作
一个擦除挂起。简历指导“7安”将被设备只接受在该SUS钻头
状态寄存器等于1，BUSY位等于0后发表的SUS钻头会于清
0立即BUSY位将被从0到1200纳秒内的扇区或块将完成
擦除操作。如果SUS位等于0或BUSY位等于1，简历指导“7安”
将通过该装置被忽略。在擦除恢复指令序列示于图22。
如果前面的擦除挂起操作被意外打断的简历指令被忽略
断电。它也需要在随后的擦除挂起指令不被内发出
最小的“T SUS”的时间内接着前恢复指令。
图22擦除恢复指令序列
W25Q64BV
出版日期：2010年7月8日
99
- 41 - 版本E
23年2月11日掉电（B9H）
尽管在正常操作期间的备用电流是相对较低的，待机电流可以进一步
减少与掉电指令。低功耗使得掉电
指示电池供电应用（见ICC1和ICC2在AC特性）特别有用。
该指令通过驱动/ CS脚低，转移指令代码“B9H”，如图启动
图23。
该/ CS引脚必须被驱动为高电平后的第八位被锁定。如果不这样做，在掉电
指令将不会执行。经过/ CS驱动高，断电状态会的时间内进入
叔DP的持续时间（见AC特性）。而在掉电状态下，只有从电源 - 发行
下/设备ID指令，这将设备恢复到正常运行状态，将被确认。所有其他
指令被忽略。这包括读状态寄存器指令，这是始终可用
在正常操作期间。忽略所有，但一个指令将使关机状态下可使用状态
100
为确保最大写入保护。该设备始终通电时，在正常操作与
ICC1的待机电流。
图23。深度掉电指令序列图
W25Q64BV
- 42 -
24年2月11日高性能模式（A3H）
在高性能模式（HPM）指令必须先于双核或四I / O指令被执行
当在高频率工作（见FR和FR1在AC电气特性）。该指令
允许预充电的内部电荷泵所以需要访问闪存的电压
阵列都一应俱全。所述指令序列包括A3H指令代码后跟三个
图伪字节时钟。执行HPM指令24后，设备将保持
稍高的待机电流（ICC 3）比标准的SPI操作。从掉电发行或
HPM指令（ABH）可用于返回到标准SPI待机电流（ICC1）。另外，写
101
允许指令（06H）和掉电指令（B9H）也将从HPM模式释放设备
回到标准的SPI待机状态。
图24，高性能模式指令序列
25年2月11日发布掉电或高性能模式/设备ID（ABH）
从掉电或高性能模式/设备ID指令释放是一个多用途
指令。它可以用来从断电状态或高性能模式释放装置，
或获取设备的电子标识（ID）号。
从掉电状态或高性能模式释放装置，该指令由发行
驱动/ CS脚低，转移指令代码“ABH”和驾驶/ CS为高电平，如图25。
从掉电发行将采取吨RES1持续时间设备之前（参见AC特性）
将恢复正常运行和其他指令被接受。该/ CS引脚必须保持在高
的T RES1持续时间。
当仅用于获得设备ID而不是在断电状态，则该指令被启动
102
驱动/ CS脚低，转移指令代码“ABH”，其次是3虚拟字节。该设备ID
比特随后移出CLK的与最显著位（MSB）的下降沿首先，如图
为W25Q64BV26设备ID值列在制造商和设备标识表。该
设备ID可以连续读取。该指令通过驱动/ CS为高电平完成。
W25Q64BV
当用于从掉电状态释放装置，将获得的设备ID，该指令是
如先前所描述的，并示于图26，所不同的是后/ CS驱动高它必须同
保持高的吨RES2的持续时间（见AC特性）。这个时间段后，设备将
恢复正常操作等指令将被接受。如果从掉电释放/
设备ID指令发出，而擦除，编程或写周期过程（忙时等号
1) the instruction is ignored and will not have any effects on the current cycle.
Figure 25. Release Power-down/High Performance Mode Instruction Sequence
Figure 26. Release Power-down / Device ID Instruction Sequence Diagram
103
Publication Release Date: July 08, 2010
- 43 - Revision E
W25Q64BV
- 44 -
11.2.26 Read Manufacturer / Device ID (90h)
The Read Manufacturer/Device ID instruction is an alternative to the Release from Power-down / Device
ID instruction that provides both the JEDEC assigned manufacturer ID and the specific device ID.
在读制造商/设备ID指令非常相似，从掉电/设备ID发布
指令。该指令通过驱动/ CS脚低，转移指令代码“90H”开始
其次是000000的24位地址（A23-A0）。之后，制造商ID为华邦电子（EFh之间）
和设备ID被移出对CLK与大多数显著位（MSB）下降沿第一如图所示
in figure 27. The Device ID values for the W25Q64BV is listed in Manufacturer and Device Identification
104
表。如果24位地址的初始设置为000001H设备ID将被读出的第一和然后接着
制造商ID。的制造商和设备ID可以连续地读出，交替从一个到
另一个。该指令通过驱动/ CS为高电平完成。
1）的指令将被忽略，不会对当前周期的任何影响。
图25。发布掉电/高性能模式指令序列
图26。发布掉电/设备ID指令序列图
出版日期：2010年7月8日
- 43 - 版本E
W25Q64BV
- 44 -
26年2月11日读制造商/设备ID（90H）
在读制造商/设备ID指令替代从掉电/设备的发布
ID指令，它同时提供了JEDEC分配厂商ID和特定设备ID。
105
在读制造商/设备ID指令非常相似，从掉电/设备ID发布
指令，该指令通过驱动/ CS脚低，转移指令代码“90H”开始
其次是000000的24位地址（A23-A0）。之后，制造商ID为华邦电子（EFh之间之间）
和设备ID被移出对CLK与大多数显着位（MSB）下降沿第一如图所示
图27为W25Q64BV设备ID值列在制造商和设备标识
表，如果24位地址的初始设置为000001H设备的ID将被读出的第一和然后接着
制造商标识。的制造商和设备ID可以连续地读出，交替从一个到
另一个。该指令通过驱动/ CS为高电平完成。
31 32 33 3435 36 37 3839 40 41 4243 44 45 46
图27。读制造商/设备ID图
W25Q64BV
出版日期：2010年7月8日
- 45 - 版本E
106
27年2月11日阅读唯一的ID号（4BH）（1）
读出的唯一的ID号指令访问出厂设置只读64位数字，是唯一的
每个W25Q64BV设备。的ID号，可以配合使用用户软件的方法，以帮助
防止复制系统或克隆。读取的唯一ID指令通过驱动/ CS引脚启动
低，转移指令代码“4BH”后跟一个4字节的模拟时钟。之后，在64
比特ID被移出在CLK的下降沿，如图28。
24 25 26 2728 29 30 3132 33 34 353637 38 39 4041 42 43 44101 102 103
DO6362616059210
*
*= MSB
DO
24 25 26 2728 29 30 3132 33 34 353637 38 39 4041 42 43 44101 102 103
DO6362616059210
107
*
*= MSB
DO
图28，阅读唯一的ID号指令序列
注意：
1，对于W25Q64BV，该功能可根据特殊要求，请与华邦的细节。
W25Q64BV
- 46 -
28年2月11日读JEDEC的ID（9FH）
由于兼容性的原因，W25Q64BV提供了一些指导，以电子方式确定
该设备的身份。在读JEDEC的ID指令是用于SPI JEDEC标准兼容
这是通过在2003年该指令发起兼容的串行存储器通过驱动/ CS引脚
低，转移指令代码“9FH”。 JEDEC的指定生产商ID字节为华邦电子（EFh之间）
108
两个设备ID字节，内存类型（ID15-ID8）和能力（ID7-ID0）然后移出的
第一下降CLK的与最显著位（MSB）的边缘，如图29，对于存储器类型和
能力值指的是制造商和设备标识表。
15 16 17 181920 21 22 2324 25 26 2728 29 30 31
图29。读JEDEC的ID指令序列图
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出版日期：2010年7月8日
- 47 - 版本E
29年2月11日连续读取模式复位（FFH或FFFFH）
对于快速读双/四I/ O操作，“连续读取模式”位（M7-0）的实施
进一步减少多余的指令。通过设置（M7-0），以“开刀”（十六进制），接下来的快速读双/四I/ O
操作不需要BBH/ EBH指令码（见11.2.12快速读双I/ O和11.2.13
快速阅读四I/ O的详细说明）。
109
如果系统控制器操作过程中重设它可能会发送一个标准的SPI指令，例如
因为读ID（9FH）或快速阅读（0Bh），到W25Q64BV。然而，与大多数SPI串行闪存
回忆，W25Q64BV没有一个硬件复位引脚，所以如果连续读取模式位设置
以“开刀”十六进制，则W25Q64BV不会承认任何标准的SPI指令。为了解决这种可能性，它
建议发出连续读取模式复位指令为以后的第一个指令
系统复位。否则，将释放连续读取模式从“开刀”十六进制的状态，并允许
标准的SPI指令进行识别。连续读取模式复位指令显示在
图30。
/ CS
模式位复位
对于双I / O
模式3
110
模式0
0 1 2 34 5 6 78 9 10 1112 13 14 15模式3
模式0
模式位复位为四I/ O
FFH FFH
不在乎
不在乎
CLK
IO0
IO1
IO2
/ CS
111
模式位复位
对于双I / O
模式3
模式0
0 1 2 34 5 6 78 9 10 1112 13 14 15模式3
模式0
模式位复位
为四I/ O
FFH FFH
不在乎
不在乎
不在乎
IO3
112
不在乎
IO3
CLK
IO0
IO1
IO2
图30连续读取模式重置为快速读双/四I/ O
以四I/ O操作时重置“连续读取模式”，只需要8个时钟周期。该
指令是“FFH”。以双I/ O操作时重置“连续读取模式”，16时钟
需要转移的指令“FFFFh时”。
W25Q64BV
- 48 -
12，电气特性
113
12.1绝对最大额定值（1）
参数符号条件范围单位
电源电压VCC-0.6到+4.0 V
电压适用于任何引脚V IO相对于地面-0.6到VCC +0.4 V
任何插脚V物联网瞬态电压
<20ns的瞬态
相对于地
-2.0V到VCC +2.0V V
贮藏温度T STG-65到+150°C
焊接温度T导线见注（2）℃
静电放电电压V ESD人体模型（3）-2000〜+ 2000V
注意事项：
1，本设备设计和测试指定的工作范围。正确操作之外
114
这些级别是不能保证。暴露在绝对最大额定值可能会影响器件的可靠性。
曝光以后绝对最大额定值可能会造成永久性的损害。
2，符合JEDEC标准J-STD-20C为小体锡铅或无铅（绿色）组装和
欧盟指令对有害物质指令（RoHS）2002/95/欧盟的限制。
3，JEDEC标准JESD22-A114A（C1 =100pF电容，R1 =1500欧姆，R2 =500欧姆）。
12.2操作范围
规格
参数符号条件
最小最大
单位
电源电压（1）VCC
F R=80MHz的，F R=33MHz的
F R=50MHz的（对于E3H命令）
115
2.7
3.0
3.6
3.6
V
环境温度，运行T A 商业
工业
0
-40
70
85
℃，
116
注意：
在读1 VCC电压可以在最小和最大范围内工作，但不得超过±10％
编程（擦除/写入）的电压。
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- 49 - 版本E
12.3上电时序和写抑制阈值
规格
参数符号
最小最大
单位
VCC（分）/ CS低吨VSL（1）10微秒
延时之前写指令吨PUW（1）110毫秒
117
写保护阈值电压V WI（1）12 V
注意：
1，这些参数仅仅特征。
图31上电时序和电压水平
W25Q64BV
- 50 -
12.4直流电气特性
规格
参数符号条件
最小TYP
单位
输入电容C IN（1）V IN=0V（1）6 pF的
输出电容COUT（1）V OUT=0V（1）8 pF的
118
输入漏电流I LI±2μA
I / O的漏I LO±2μA
待机电流I CC1
/ CS= VCC，
VIN= GND或VCC
25 50μA
掉电电流I CC2
/ CS= VCC，
VIN= GND或VCC
15μA
高性能
当前
I CC3
119
启用后高
性能模式
50 100μA
当前的读数据/
双核/四1MHz的（2） I CC4
C =0.1 VCC/0.9 VCC
DO=打开
4/5/66/7.5/9毫安
当前的读数据/
双核/四33MHz的（2）I CC4
C =0.1 VCC/0.9 VCC
120
DO=打开
6/7/89/10.5/12毫安
当前的读数据/
双核/四50MHz的（2）
I CC4
C =0.1 VCC/0.9 VCC
DO=打开
7/8/910月12日/13.5毫安 当前的读数据/
双输出读/四
输出读为80MHz（2）
I CC4
C =0.1 VCC/0.9 VCC
121
DO=打开
10/11/1215/16.5/18毫安
当前写状态
注册
I CC6/ CS= VCC812毫安
当前页编程I CC7/ CS= VCC2025毫安
当前扇区/块
删除
I CC8/ CS= VCC2025毫安
目前的芯片擦除I CC9/ CS= VCC2025毫安
输入低电压V IL VCC点¯x0.3 V
输入高电压V IH VCC点¯x0.7 V
输出低电压V OL I OL=1.6毫安0.4 V
122
输出高电压V OH I OH=-100μAVCC - 0.2 V
注意事项：
1，测试样本基础上，通过设计和特性的数据说明。 TA = 25℃，VCC3V。
2，棋盘模式。
W25Q64BV
出版日期：2010年7月8日
- 51 - 版本E
12.5 AC测量条件
规格
参数符号
最小最大
单位
负载电容C L30 pF的
123
输入上升和下降时间T R，T˚F5纳秒
输入脉冲电压V IN0.2 VCC〜0.8 VCC V
输入时序参考电压0.3 VCC〜0.7 VCC V
输出时序参考电压ØUT0.5 VCC0.5 VCC V
注意：
1，输出高阻被定义为数据输出不再驱动点。
图32 AC测量I / O的波形
W25Q64BV
- 52 -
12.6 AC电气特性
规格
描述符号ALT
最小TYP
124
单位
时钟频率为所有的指令，
除了读取数据（03H）及八字读（E3H）
2.7V-3.6V的VCC及工业温度
F R F C特区80兆赫
时钟频率
八进制字读取四I/ O（E3H）
3.0V-3.6V的VCC及工业温度
F R F C特区50兆赫
时钟频率。读取数据指令（03H）F R特区33兆赫
时钟高，除了读数据（03H）T CLH低电平时间，
吨CLL（1）
6 NS
125
时钟高电平，低电平时间为读数据（03H）
指令
吨复合左右手，
吨CRLL（1）
8
8
NS
时钟上升时间峰值到峰值吨CLCH（2）0.1第V / ns
时钟下降时间峰值到峰值吨CHCL（2）0.1第V / ns
/ CS有效建立时间相对于CLK吨SLCH吨的CSS5纳秒
/ CS不主动保持时间相对CLK吨CHSL5纳秒
数据建立时间t DVCH吨DSU的2纳秒
数据保持时间t CHDX吨DH5纳秒
126
/ CS有效保持时间相对CLK吨CHSH5纳秒
/ CS不主动建立时间相对于CLK吨SHCH5纳秒
/ CS取消时间（阵列读取？阵列读/
擦除或编程？读状态寄存器）
吨SHSL吨CSH10/50 NS
输出禁止时间t SHQZ（2）T DIS7 NS
时钟低到输出有效
2.7V-3.6V/3.0V-3.6V
吨CLQV1吨V 17/6 NS
时钟低到输出有效（读ID的说明）
2.7V-3.6V/3.0V-3.6V
吨CLQV2吨V 28.5/7.5纳秒
输出保持时间t CLQX吨何0 NS
127
/ HOLD智能安装时间相对于CLK吨HLCH5纳秒
续 - 下页
W25Q64BV
出版日期：2010年7月8日
- 53 - 版本E
12.7 AC电气特性（续）
规格
描述符号ALT
最小TYP
单位
/ HOLD主动保持时间相对CLK吨CHHH5纳秒
/ HOLD相对于CLK吨HHCH5纳秒不主动建立时间
/ HOLD不主动保持时间相对CLK吨CHHL5纳秒
128
/ HOLD键，输出低阻抗吨HHQX（2）T LZ7 NS
/ HOLD键，输出高阻吨HLQZ（2）T HZ12纳秒
写保护设置时间之前/ CS低电平吨WHSL（3）20纳秒
写保护保持时间后/ CS高t SHWL（3）为100 ns
/ CS高到掉电模式t DP（2）3微秒
/ CS高到待机模式没有电子签名
阅读
吨RES1（2）3微秒
/ CS高到待机模式带有电子签名
阅读
吨RES2（2）1.8微秒
/ CS高电平到下一个指令暂停后吨SUS（2）20微秒
写状态寄存器时间t W 1015毫秒
129
字节编程时间（第一个字节）（4）T BP12050微秒
额外的字节编程时间（第一个字节后）（4）T BP22.512微秒
页编程时间t PP0.73毫秒
扇区擦除时间（4KB）T东南30200/400（5）MS
块擦除时间（32KB）T为1120800毫秒
块擦除时间（64KB）T为21501000毫秒
芯片擦除时间t CE1530秒
注意事项：
1时钟高+时钟低必须小于或等于1 / F c的。
2，价值由设计和/或特性保证，而不是100％生产测试。
3，只适用作为一个写状态寄存器指令时，部门保护位设置为1约束。
4，对于页面中的第一个字节后多个字节，T BPN= T BP1+ T BP2* N（典型值）和T BPN= T BP1+ T BP2* N（最大），其中N=
的字节数进行编程。
130
5，最高值T SE与<50K周期为200ms和>50K＆<100K的周期是400毫秒。
W25Q64BV
- 54 -
12.8串行输出时序
12.9输入时序
12.10保持时序
W25Q64BV
出版日期：2010年7月8日
- 55 - 版本E
13，包装规格
13.18引脚SOIC208密耳（包装代号SS）
θ
计飞机
131
θ
计飞机
毫米英寸
符号
最小Nom最大最小Nom最大
1.751.952.160.0690.0770.085
A10.050.150.250.0020.0060.010 A21.701.801.910.0670.0710.075 b0.350.420.480.0140.0170.019
Ç0.190.20 0.250.0070.0080.010 ð5.185.285.380.2040.2080.212
D15.135.235.330.2020.2060.210 ê5.185.285.380.2040.2080.212
132
E15.135.235.330.2020.2060.210
E（2）1.27 BSC。 0.050平衡计分卡。
ħ7.707.908.100.3030.3110.319
Ł0.500.650.800.0200.0260.031
Ÿ---0.10---0.004
θ0°---11°0°---11°
注意事项：
1，控制尺寸：毫米，除非另有规定。
2，平衡计分卡中心之间=基本引线间距。
3，外形尺寸D1和E1不包括塑模毛边突起，应该从包装底部测量。
4，成型引线共面性对于座位平面应在0.004英寸。
W25Q64BV
- 56 -
133
13.28引脚PDIP300密耳（封装代码DA）
毫米英寸
SYMBO
Ł
最小Nom最大最小Nom最大
A ------5.33---0.210
A10.38---0.015---
A23.183.303.430.1250.1300.135
ð9.029.2710.160.3550.3650.400
ê7.62平衡计分卡。 0.300平衡计分卡。
E16.226.356.480.2450.2500.255
Ł2.923.303.810.1150.1300.150
式B8.519.029.530.3350.3550.375
134
θ°
0°11°15°0°11°15°
W25Q64BV
出版日期：2010年7月8日
- 57 - 版本E
13.38触点WSON8x6毫米（封装代码ZE）
毫米英寸
符号
最小Nom最大最小Nom最大
0.700.750.800.0280.0300.031
A10.000.020.050.0000.0010.002
b0.350.400.480.0140.0160.019
Ç0.190.20 0.250.0070.0080.010
135
ð7.908.008.100.3110.3150.319
D24.604.654.700.1810.1830.185
ê5.906.006.100.2320.2360.240
E25.155.205.250.2030.2050.207
ê1.27 BSC平衡计分卡0.050
Ł0.450.500.550.0180.0200.022
Ÿ0.00 ---0.0500.0000.002---
W25Q64BV
- 58 -
13.416引脚SOIC300密耳（封装代码SF）
计飞机
详细Ä
计飞机
136
详细Ä
毫米英寸
符号
最小Nom最大最小Nom最大
à2.362.492.640.0930.0980.104
A10.10 ---0.30---0.0040.012
A2---2.31---0.091---
b0.330.410.510.0130.0160.020
Ç0.180.230.280.0070.0090.011
ð10.0810.3110.490.3970.4060.413
ê10.0110.3110.640.3940.4060.419
E17.397.497.590.2910.2950.299
E（2）1.27 BSC。 0.050平衡计分卡。
137
Ł0.380.811.270.0150.0320.050
Ÿ---0.076---0.003
θ0°---11°0°---11°
注意事项：
1，控制尺寸：英寸，除非另有规定。
2，平衡计分卡中心之间=基本引线间距。
3，尺寸D和E1不包括塑模毛边突起，应该从包装底部测量。
W25Q64BV
出版日期：2010年7月8日
- 59 - 版本E
14订购信息（1）
W¯¯25Q64B V XX（1）
I =工业级（-40°C至+85°C）
138
SS=8引脚SOIC208万DA=8引脚PDIP300万
SF=16引脚SOIC300mil的ZE=8片WSON8x6毫米
V =2.7V至3.6V
64B=64M位
25Q= SpiFlash的串行闪存与4KB扇区，双/四I/ O
W =华邦
G =绿色包装（无铅，符合RoHS，无卤素（TBBA），锑氧化免费的Sb 2 O 3）
P =绿色包装与状态寄存器掉电和OTP启用
注意事项：
1A.Only第2次函用于部分标记; WSON封装型ZE不用于该部分标记。
1B.Standard大宗货物都在管（形状E）。请指定替代的包装方法，如磁带和卷轴（形状
T），订货时。
1C.The“W”字头不包含在零件上标记。
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W25Q64BV
- 60 -
14.1有效的部件号和顶端标记
下面的表提供了W25Q64BV SpiFlash的存储器的有效部分的号码。请联系
华邦由密度和封装类型特定的可用性。华邦SpiFlash的存储器使用的12
订购数位产品编号。然而，由于篇幅所限，在顶端标记上所有的包
因此使用缩写的10位数字。
包装型密度产品编号顶端标记
SS
SOIC-8封装208mil
64M位
W25Q64BVSSIG
W25Q64BVSSIP
140
25Q64BVSIG
25Q64BVSIP
SF
SOIC-16300MIL 64M位
W25Q64BVSFIG W25Q64BVSFIP 25Q64BVFIG
25Q64BVFIP
DA
PDIP-8300MIL
64M位
W25Q64BVDAIG
141
W25Q64BVDAIP
25Q64BVAIG
25Q64BVAIP
ZE（1）
WSON-88x6毫米
64M位
W25Q64BVZEIG
W25Q64BVZEIP
25Q64BVIG
25Q64BVIP
注意：
1 WSON封装类型ZE是不是在顶部标记使用。
W25Q64BV
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出版日期：2010年7月8日
- 61 - 版本E
15版本历史
版本日期页描述
à08/24/08新创建的初步
乙01/15/09
03/12/09
09年3月13日
56＆57
57
5
13
p字符加入到零件号结束
143
纠正顶端标记
改变工作电流为4mA
错字更改QE针到QE位
ç08/20/0938，39，54〜56 58
44
更新擦除挂起和恢复描述。
更新包图
UID波形校正
ð09年9月24日52
5,7,55,58,59
44
46
144
改变FR =33MHz的
新增PDIP封装
纠正读制造商/设备ID图27。
纠正读JEDEC的编号，图29
ê07/08/10
61
55-58
50,53
去除初步标志
更新包图
更新后的参数VIL/ VIH，T BP1，T SE
商标
华邦SpiFlash的产品是华邦电子公司的商标。
145
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
重要声明
华邦产品不是设计，意，授权或担保，用作系统组件
或设备打算通过外科手术植入，原子能控制仪器，飞机或太空船
仪器仪表，交通运输仪器，交通信号仪器，燃烧控制仪表，或
其他应用程序旨在支持或维持生命。进一步，华邦电子产品不打算
对于应用，其中华邦产品故障可能导致或导致的情况，其中个人
受伤，死亡或严重财产或环境损害可能发生。
使用或在此类应用中使用销售这些产品华邦的客户这样做在自己的风险
并同意悉数赔偿华邦从这些不当使用或销售造成任何损害。
146
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