专利名称：一种改性的纳米氧化铈及其制备与应用专利类型：发明专利
发明人：张泽芳,刘卫丽,宋志棠申请号：CN200910196102.4申请日：20090922公开号：CN101659850A公开日：20100303
摘要：本发明涉及一种改性的纳米氧化铈及其制备与应用。本发明采用硅烷偶联剂氨丙基三乙氧基硅烷对纳米氧化铈粉末进行改性。由改性后的氧化铈配制成的抛光液，对超大规模集成电路二氧化硅层间介质和光盘玻璃进行抛光，可明显降低表面的粗糙度。
申请人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
地址：200050 上海市长宁区长宁路865号
国籍：CN
代理机构：上海光华专利事务所
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容