适用平台功能模块MST6I48QT顺序重要性检查内容(A,B,C)要求1）3.3VSTB到LDO输出线宽>=20mil2）3.3Vnorma到LDO输出线宽>=16mil3）2.5Vnormal到LDO输出线宽>=20mil4）1.8VNormal到LDO输出线宽>=20mil5）1.32Vcore到LDO输出线宽>=60mil6）其它供电网络电流按照40mil/1A7）供电走线有换层，需要放置2个以上的过孔保证连接良好1）输入，输出的网络在附近放置有100uF以上的退耦电容2）LDO的输入，输出，反馈脚位顺序正确3）对于插入功耗（△V×I)>0.3W，需要加背面散热铜皮4）对于插入功耗（△V×I)>1W，如果压差>2V,可以加插件功率电阻分摊功率；如果压差<2V的情况，考虑更换散热更好的封装（如：TO252，TO263）5）反馈采样电阻靠近输出退耦电容1）输入端:储能电容>=100uF,滤波电容0.1u必须靠近放置，连接走线直接在同一面与DC/DC输入脚相连，不要通过换层连接2）肖特基二极管，输出电感，输出储能电容>=470uF,滤波电容0.1u必须靠近DC/DC放置，这些器件连接也要求在同一面相连，不要通过换层方式相连3）输入电容的GND，DC/DC的GND，肖特基二极管的GND，输出电容的GND，这四个接地要求尽可能地近，尽可能大的铜皮连接4）输入电容，DC/DC，肖特基二极管，输出电感，输出电容构成的环路尽可能小5）DC/DC肚子下面不要走线，而用大面积铜皮并开阻焊窗口，加强散热6）上拉的采样反馈电阻靠近输出电容正端放置7）DC/DC的封装，管脚定义正确判定N 的原因判定（P/N)1A供电线宽2ALDO模块系统电源3ADC/DC模块41）MST6I48工作电流比较大，不要在DC/DC输出到MST6I48供电脚之间核芯电压供电串联任何磁珠，避免磁珠性能差异影响系统稳定性2）退耦电容尽可能地靠近对应管脚放置1）MOS管的输入储能电容尽可能靠近开关管放置，减小打开电源时造成波动2）MOS管加有缓起电路3）开关管建议靠近需要切换的供电网络的电源提供点放置4）MOS管选型PMOS，NMOS，封装，脚位正确1）0.1u退耦电容靠近供电脚放置 2）供电网络采用星型连接方式 3) 供电网络靠近DRAM端放置1uF退耦电容4）供电走线注意保证底层GND的最大连通性5）1/2Vref参考电压的分压网络靠近DDR相应的管脚放置，线宽>=12mil5AMOS管开关61A供电网络2A1）第一类：CLK+/-，DQS0+/-,DQS1+/-2）第二类：DQ[0..15]，DQM[0..1]信号线重要性，优先顺序3）第三类：Addr[0..13]，BA[0..1]，CKE，ODT，DQM[0..1]4）layout保证优先顺序：第一类>第二类>第三类DRAM3A信号走线1）第一类：差分走线线宽>=6mil,线间距6mil,包地间距>=6mil，包地连续打地孔，走线尽可能多的包地处理2）第二类：信号线宽>=6mil，以两根信号为一组进行包地，地间距>=6mil，包地连续打地孔，走线尽可能多的包地处理3）第三类：信号线宽>=5mil，以三，四根信号为一组进行包地，地间距>=6mil，包地连续打地孔，走线尽可能多的包地处理4）DDR下方的地面积要求尽可能地大，完整，且多放地孔4ACLK+/-信号处1）100欧姆电阻X2+10nF电容的匹配网络靠近DDR摆放理2）如果CLK+/-有预留150欧姆电阻，靠近DDR摆放匹配电阻1）CLK+/-,DQS0+/-,DQS1+/-, DQM[0..1], ADDR, BA，ODT靠近MST6I48放置2）DQ[0..15]在连接线的中心位置放置1）DDR芯片下面top层设置禁止铺铜，避免地大面积相连影响焊接2）DDR bottom层大面积铜皮需要做散热阻焊，散热窗按照1.5mmX1.5mm计算，不得少于6个1）封装大小确认2）PIN脚确认1）0.1u退耦电容尽量靠近供电脚放置2）供电网络建议采样星型连接方式3）供电走线注意保证底层GND的最大连通性4）1/2Vref参考电压的分压网络尽量靠近相应的管脚放置，线宽>=12mil5）DVDD_NODIE(K9)，PAD_VRP，PAD_VAG对地1uF电容尽量靠近管脚放置，线宽>=12mil1）接地PIN脚用连线方式接地，顶层IC内部大面积铺地会影响焊接；2）PAD_VCOM（U1）交流接地靠近IC3）AVSS_VRM_ADC_DAC，AVSS_PGA磁珠接地脚靠近IC，磁珠与PIN脚线宽>12mil4）IF/RF AGC RC对地22nF积分电容靠近IC放置5）Audio Line out DAC 的RC对地积分电容靠近IC放置6）PAD_RESET(E5)网络上的1nF滤波电容尽量靠近IC放置7）PAD_IRIN(A4)网络上的39pF滤波电容靠近IC放置8）24MHz晶振的负责电容靠近晶体放置，接地点也靠晶振5B67AA铺地，散热封装1A供电网络2芯片A接地3A1）CVBS in的47nF耦合电容靠近MST6I48放置2）Audio Line In的1u/2.2u耦合电容靠近MST6I48放置信号输入，输出3）ADC的R，G，B，SOG正端的47nF，1nF耦合电容靠近MST6I48放置4）ADC的R，G，B负端的47nF耦合电容靠近MST6I48放置1）芯片内部设置禁止铺铜，避免地大面积相连影响焊接2）MST6I48底部大面积铜皮需要做散热阻焊，散热窗按照1.5mmX1.5mm计算，不得少于16个3）LDO，DC/DC等发热器件不要靠近MST6I48，特别不能够放置到MST6I48的下方，避免相互加热1）DI，DO，CS，CLK走线尽量不要有过孔，特别是CLK不能有过孔连接2）走线宽>=5mil3）可以的话，对CLK包地处理4）Flash尽量靠近MST6I48，走线长度尽可能短1）供电的0.1uF退耦电容靠近供电脚2）写保护的滤波电容靠近flash的写保护脚放置4A铺地，散热51Flash23A走线A器件1数字中频信号23A信号走线1）DIF+/-差分走线线宽>=12mil，线间距6mil，包地距离>=12mi，包地打连续地孔2）DIF+/-走线采用顶层走线，不能换层3）DIF避免靠近晶振，SPDIF走线4）IF AGC积分电容到tuner的走线要包地处理1）DIF输入的耦合RC（100欧姆，0.1uF）器件靠近MST6I48放置2）IF AGC RC积分输出电路靠近MST6I48放置3）I2C滤波电容靠近MST6I48放置A器件放置1A信号走线1）5V供电线宽>=12mil2）高速信号线（SPDIF，I2S，TS）禁止从tuner本体下方穿过3）tuner的外壳接地脚保证接地良好4）旁边有数字功放等功率器件，需要做割地处理1）如果tuner外部需要30V升压电路，升压电路远离tuner放置2）供电滤波电容靠近供电脚放置3）RF AGC的切换开关靠近RF AGC PIN脚，保证开关断开时，RF AGC的外部走线最短，减小对干扰的吸收4）数字功放远离tuner放置1）Tuner底部大面积铜皮需要做散热阻焊，散热窗按照1.5mmX1.5mm计算，不得少于24个2）Tuner外壳接地PIN脚连接良好，相互之间不要有割地1）SAW drive预防电路靠近tuner放置2）SAW Filter靠近MST6I48放置3）SAWFilter尽量远离晶振4）RF AGC积分RC（10K，22nF）电路靠近MST6I48放置1）AIF单端信号走线线宽>=12mil，两边包地距离>=8mil,包地打连续地孔。2）如果AIF和DIF走线需要交叉，以保证DIF顶层走线为优先处理3）SAW Filter输出到MST6I48PIN脚的VIF，SIF差分走线走线线宽>=12mil，线间距6mil，包地距离>=12mi，包地打连续地孔，且VIF，SIF之间用地隔开4）AIF，VIF，SIF避免高速信号（SPDIF，I2S，晶振，TS等）交叉5）RF AGC在22nF积分后到tuner的走线需要包地处理1）ESD器件,330pF滤波电容靠近端子输入端子放置2）对于采用330视频开关的电路的ESD器件靠近330放置3）75欧姆负责电阻尽可能靠近MST6I48放置4）ADC信号输入的公共负端（68欧姆，47nF）靠MST6I48IC交流接地5）CVBS Out电路（包括输出75欧姆匹配电阻）靠近MST6I48放置1）视频信号走线按照低阻（75欧姆）阻抗走线，线宽>=8mil，包地距离>=12mil高频头2A器件放置341A散热处理A器件放置模拟中频解调器2A信号走线31YPbPR/VGAinput23A器件放置2)为什么？B信号走线1音频输入，输出23A器件放置1）560p滤波电容靠近端子输入端子放置2）10K/12K分压电阻靠近输入端子放置3）DAC输出RC（200p，220k）积分电路靠近MST6I48放置4）Audio Line out放大电路靠近RC积分电路放置1）音频信号走线可以采用稍高阻抗走线，线宽>=5mil，包地距离>=12mil2）至少每组LR做为一组信号进行包地处理A信号走线1A器件放置1）ESD器件靠近HDMI端子放置2）HDMI差分10欧姆微调电阻靠近HDMI座子放置1）差分走线：HDMI座子到10欧姆微调电阻走100差分阻抗线，10欧姆电阻到MST6I48走90欧姆差分阻抗线。以两层板FR4材质：100欧姆线：线宽=10mil，线间距=5mil，90欧姆：线宽=12mil，线间距=5mil2）HDMI差分线要求保持线宽，线间距同步走线，包括同时倒角处理3）差分对内禁止其它信号（GND也不允许）4）差分对之间的距离>2倍差分对内距离5）差分对包地距离>2倍差分对内距离6）差分走线下方的底层尽可能保证一个完整的地面1）ESD器件靠近USB端子放置2）USB差分4.7欧姆微调电阻靠近USB座子放置1）差分走线：USB走90欧姆差分阻抗线。以两层板FR4材质：90欧姆：线宽=12mil，线间距=5mil2）USB差分线要求保持线宽，线间距同步走线，包括同时倒角处理3）差分对内禁止其它信号（GND也不允许）4）差分对之间的距离>2倍差分对内距离5）差分对包地距离>2倍差分对内距离HDMI2A信号走线31A器件放置USB2A信号走线1ALVDS/RSDS2A串联电阻靠近串联匹配电阻靠近MST6I48放置IC放置1）LVDS建议走100欧姆差分阻抗线，以两层板FR4材质：100欧姆线：线宽=10mil，线间距=5mil2）差分线要求保持线宽，线间距同步走线，包括同时倒角处理3）差分对内禁止其它信号（GND也不允许）信号走线4）差分对之间的距离>2倍差分对内距离5）差分对包地距离>2倍差分对内距离6）差分走线下方的底层尽可能保证一个完整的地面7）不能有一端悬空的断线存在，影响到EMI性能1）供电储能电容470uF＋0.1uF滤波电容必须靠近MSH9000的PIN13，15，16，1833，35，36，382）输出电感，靠近MSH9000放置，缩短PWM大信号走线长度3）输入差分信号1u/2.2u耦合电容靠近MSH9000放置4）输入差分信号负端串联的电阻和正端信号一样靠近MST6I48DAC输出放置1）供电连接走线优先于PWM OUT信号，也就是优先保证470uF+0.1uF电容的顶层连接2）供电线宽>=50mil，MSH9000输出PWM和电感之后输出L+/-，R+/-线宽>50mil3）MSH9000输入差分信号线宽>=8mil,线间距>=6mil，并做包地处理4）MSH9000的接地脚都要与封装肚子里的大面积地相连1）MSH9000封装下面顶层开阻焊保证IC肚子GND和PCB连接良好2）底部大面积铜皮需要做散热阻焊，散热窗按照1.5mmX1.5mm计算，不得少于16个3A1伴音功放（以MSH9000为例）2A器件放置信号走线34A铺地，散热