2016-04-20 13:02来源:内江洛伯尔材料科技有限公司作者:研发部
贵金属沉积作用示意图
贵金属Pd、Pt、Au、Ag、Ru等沉积在纳米TiO2上从而提高光催化剂的活性,其中Pt的报道较多。贵金属的添加普遍提高了TiO2的光催化活性。在催化剂表面沉积Pt等金属相当于在TiO2表面构成一个以TiO2和金属为电极的短路微电池,TiO2电极所产生的h+ 将液相中的有机物氧化,而e则流向金属电极,将液相中的氧化钛组分还原,降低h+ 和e的复合率,提高了催化剂的反应活性。贵金属以原子簇的形式沉积在TiO2表面,电中性且相互分开的贵金属和n-型半导体具有不同的Fermi能级,当金属的功函数(φm)高于半导体功函数(φm)时,电子就会不断的从Fermi能级较高的半导体向Fermi能级较低的金属表面迁移,直到二者Fermi能级相等为止。在两者电接触之后形成的空间电荷层中,贵金属表面将获得多余的负电荷,而半导体表面获得多余的正电荷,这样半导体的表面将会向上弯曲,从而形成损耗层,这种在金属-半导体表面形成的损耗层被称为Schottky能垒。这种Schottky能垒能阻止光催化过程中电子-空穴对的再复合,是一种有效的捕获肼。 电子被激发后向金属迁移时被Schottky能垒捕获,从而使电子-空穴对分离,复合受到抑制。Pt-TiO2的光电导率比TiO2的光电导率小证实了电子向金属的迁移。这样,空穴就能自由地扩散到半导体表面将有机物氧化。
Sasaki等用激光脉冲法把 Pt 沉积在TiO2表面,发现 Pt/TiO2 体系带隙能降为2.3 eV,从而使激发波长延伸至可见光区。Sung-Suh等比较了在可见光和紫外光激发下,Ag/TiO2 对罗丹明B降解的催化性能,发现可见光下Ag/TiO2 的催化效率比纯TiO2提高近 30%,而紫外光下其催化效率与纯TiO2相比只提高约10% 。 M. Anpo的ESR结果表明:TiO2上Ti3+的信号强度(源于Ti4+捕获光生电子)随着光照时间线形增加,而在Pt/TiO2上,信号强度几乎不变,说明Pt/TiO2上光生电子从TiO2快速迁移到了Pt上。一系列研究已表明,贵金属沉积的光催化剂普遍提高了半导体的光催化活性,并且适用范围极为广泛,包括水分解、有机物的氧化降解以及重金属的还原等。
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