专利名称：一种高纯度四氯化硅提纯方法专利类型：发明专利
发明人：殷万朋,许超,其他发明人请求不公开姓名申请号：CN201410011907.8申请日：20140112公开号：CN103738966A公开日：20140423
摘要：本发明涉及一种光纤、光伏、半导体及其他科研领域用的高纯度四氯化硅的提纯技术，具体步骤如下：步骤1、以工业级四氯化硅为原料进料，经第一个精馏塔加压精馏，塔顶采出的低沸物进入低沸物储罐；步骤2、将步骤1得到的塔釜采出物经第二个精馏塔加压精馏，塔釜采出的高沸物，进入高沸物储罐；步骤3、将步骤2得到的塔顶采出物经第三个精馏塔加压精馏，塔釜采出物，回到第二个精馏塔，循环提纯；步骤4、将步骤3得到的塔顶采出物经第四个精馏塔加压精馏，塔顶采出物进入高沸物储罐；步骤5、将步骤4得到的塔釜采出物经第五个精馏塔加压精馏，塔釜采出物进入高沸物储罐，塔顶采出物即为质量浓度大于99.9999%的高纯度四氯化硅产品。
申请人：北京国辰华星科技有限责任公司
地址：100070 北京市丰台区科学城航丰路8号1幢421室
国籍：CN
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